公开(公告)号：FR3109467A1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR2003759

申请日：2020-04-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FOUREL MICKAEL ,  CHAPELON LAURENT-LUC

IPC: H01L27/146

Abstract: Dispositif d'acquisition d'images La présente description concerne un dispositif d'acquisition d'images (11) comprenant au moins une couche (35) en un matériau inorganique diélectrique entre une matrice de filtres couleur (33) et un réseau de microlentilles (37). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR2970119B1

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：FR1061356

申请日：2010-12-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CHAPELON LAURENT-LUC ,  CUZZOCREA JULIEN

IPC: H01L21/768

Abstract: Procédé de réalisation d'un moyen de connexion électrique d'une puce de circuits intégrés et puce de circuits intégrés comprenant une plaque de substrat et, sur une face avant de la plaque de substrat, des circuits intégrés et une couche intégrant un réseau avant d'interconnexion électrique, dans lesquels au moins un via local de connexion électrique (7a) en une matière conductrice de l'électricité, est formé dans un trou (8a) et un évidement (8b) de la plaque de substrat (2) et est reliée à une portion de connexion (9) dudit réseau d'interconnexion électrique ; un pilier de connexion électrique (16) en une matière conductrice de l'électricité, est formé sur une partie arrière du via de connexion électrique ; et une couche extérieure locale de protection (18) peut recouvrir au moins en partie le via de connexion électrique et le pilier de connexion électrique.

公开(公告)号：FR3066038B1

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：FR1753985

申请日：2017-05-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MORIN PIERRE ,  BRUN PHILIPPE ,  CHAPELON LAURENT-LUC

IPC: G11C13/02 ,  H01L23/485

Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant : une bande (2) de matériau à changement de phase revêtue d'une bande conductrice (4) et entourée d'un isolant (10), la bande (2) de matériau à changement de phase étant en contact par sa face inférieure avec des pointes d'un élément résistif (8) ; et un réseau de connexion composé de plusieurs niveaux de métallisation couplés entre eux par des vias conducteurs, au moins un élément (26) du niveau de métallisation inférieur étant en contact direct avec la face supérieure de la bande conductrice (4).

公开(公告)号：FR3066038A1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：FR1753985

申请日：2017-05-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MORIN PIERRE ,  BRUN PHILIPPE ,  CHAPELON LAURENT-LUC

IPC: G11C13/02 ,  H01L23/485

Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant : une bande (2) de matériau à changement de phase revêtue d'une bande conductrice (4) et entourée d'un isolant (10), la bande (2) de matériau à changement de phase étant en contact par sa face inférieure avec des pointes d'un élément résistif (8) ; et un réseau de connexion composé de plusieurs niveaux de métallisation couplés entre eux par des vias conducteurs, au moins un élément (26) du niveau de métallisation inférieur étant en contact direct avec la face supérieure de la bande conductrice (4).