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    POINT MEMOIRE A MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE
    1.
    发明专利
    POINT MEMOIRE A MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE 未知

    公开(公告)号：FR3073075B1

    公开(公告)日：2020-09-04

    申请号：FR1760166

    申请日：2017-10-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： MORIN PIERRE ,  DUTARTRE DIDIER

    IPC: G11C13/02

    Abstract: L'invention concerne un point mémoire à matériau à changement de phase, comprenant, sur un via (108) de liaison avec un transistor, un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118), et, entre le via et l'élément de chauffage (116), une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5·10-5 Ω.m, les interfaces entre ladite couche et les matériaux en contact avec les deux faces de ladite couche formant une barrière thermique, ladite couche étant suffisamment mince pour pouvoir être traversée par un courant électrique par un effet de type effet tunnel.

    POINT MEMOIRE A MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE
    2.
    发明专利
    POINT MEMOIRE A MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE 未知

    公开(公告)号：FR3073075A1

    公开(公告)日：2019-05-03

    申请号：FR1760166

    申请日：2017-10-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： MORIN PIERRE ,  DUTARTRE DIDIER

    IPC: G11C13/02

    Abstract: L'invention concerne un point mémoire à matériau à changement de phase, comprenant, sur un via (108) de liaison avec un transistor, un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118), et, entre le via et l'élément de chauffage (116), une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5·10-5 Ω.m, les interfaces entre ladite couche et les matériaux en contact avec les deux faces de ladite couche formant une barrière thermique, ladite couche étant suffisamment mince pour pouvoir être traversée par un courant électrique par un effet de type effet tunnel.

    MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE
    3.
    发明专利
    MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE 未知

    公开(公告)号：FR3065314A1

    公开(公告)日：2018-10-19

    申请号：FR1753345

    申请日：2017-04-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： MORIN PIERRE ,  HAOND MICHEL ,  ZULIANI PAOLA

    IPC: H01L45/00 ,  G11C13/02

    Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant un élément résistif (28) en forme de L, une première partie de l'élément résistif (28) s'étendant entre une couche de matériau à changement de phase (32) et l'extrémité supérieure d'un via conducteur (21), une seconde partie de l'élément résistif (28) reposant au moins partiellement sur l'extrémité supérieure du via conducteur (21), la partie supérieure du via conducteur (21) étant entourée d'un isolant (46) non susceptible de réagir avec l'élément résistif (28).

    MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE
    4.
    发明专利
    MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE 未知

    公开(公告)号：FR3066038B1

    公开(公告)日：2020-01-24

    申请号：FR1753985

    申请日：2017-05-05

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： MORIN PIERRE ,  BRUN PHILIPPE ,  CHAPELON LAURENT-LUC

    IPC: G11C13/02 ,  H01L23/485

    Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant : une bande (2) de matériau à changement de phase revêtue d'une bande conductrice (4) et entourée d'un isolant (10), la bande (2) de matériau à changement de phase étant en contact par sa face inférieure avec des pointes d'un élément résistif (8) ; et un réseau de connexion composé de plusieurs niveaux de métallisation couplés entre eux par des vias conducteurs, au moins un élément (26) du niveau de métallisation inférieur étant en contact direct avec la face supérieure de la bande conductrice (4).

    MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE
    7.
    发明专利
    MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE 未知

    公开(公告)号：FR3066038A1

    公开(公告)日：2018-11-09

    申请号：FR1753985

    申请日：2017-05-05

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： MORIN PIERRE ,  BRUN PHILIPPE ,  CHAPELON LAURENT-LUC

    IPC: G11C13/02 ,  H01L23/485

    Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant : une bande (2) de matériau à changement de phase revêtue d'une bande conductrice (4) et entourée d'un isolant (10), la bande (2) de matériau à changement de phase étant en contact par sa face inférieure avec des pointes d'un élément résistif (8) ; et un réseau de connexion composé de plusieurs niveaux de métallisation couplés entre eux par des vias conducteurs, au moins un élément (26) du niveau de métallisation inférieur étant en contact direct avec la face supérieure de la bande conductrice (4).

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