公开(公告)号：FR3128574B1

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：FR2111357

申请日：2021-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BORREL JULIEN ,  GAUTHIER ALEXIS ,  HILARIO FANNY ,  BERTHIER LUDOVIC ,  DUMAS PAUL ,  BREZZA EDOARDO

IPC: H01L21/266

Abstract: Selon un aspect il est proposé un procédé d’implantation ionique dans une plaquette semiconductrice (PS) placée dans une chambre d’implantation (CHI) sous vide, la plaquette semiconductrice (PS) présentant une zone de circuit intégré (ZCI) et une zone périphérique (ZPR) autour de cette zone de circuit intégré (ZCI), l’implantation ionique permettant d’appliquer un dopage dans des régions, dites régions d’implantation (RGI), de la zone de circuit intégré, le procédé comprenant : - une formation d’un revêtement en résine photosensible (RES) servant de masque sur la plaquette semiconductrice (PS), puis - une formation d’ouvertures dans le revêtement en résine photosensible (RES) au niveau desdites régions d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré et au niveau d’au moins une région (RDM) de la zone périphérique, puis - une implantation des ions (12) dans la plaquette semiconductrice (PS). Figure pour l’abrégé : Figure 5