公开(公告)号：FR3068174A1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：FR1755669

申请日：2017-06-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOLANSKI DOMINIQUE ,  JIMENEZ JEAN ,  DUTARTRE DIDIER ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode SPAD, compatible avec la fabrication de transistors MOS, comprenant : délimiter une zone de formation d'une photodiode SPAD dans une couche (6) de matériau semiconducteur d'un premier type de dopage ; implanter des dopants d'un second type avec une première énergie dans une première région enterrée (20) de ladite zone ; et faire croître une couche épitaxiale (22) sur l'ensemble de la structure.