公开(公告)号：FR3124891B1

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：FR2107027

申请日：2021-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: G11C11/56

Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule étant séparée des cellules voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules voisines d'une même colonne de la matrice par une même première distance (L1), et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égale à 2. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3098017A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907165

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： REYNARD JEAN-PHILIPPE ,  FAVENNEC LAURENT ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/324

Abstract: Procédé de réalisation d’un dispositif électronique et dispositif électronique, dans lesquels un premier étage électronique (2) et un deuxième étage électronique (3) sont réalisés séparément et sont montés et empilés l’un au-dessus de l’autre et comprennent des plots de contact (5, 6) situés les uns au-dessus des autres et reliés entre eux, le premier étage électronique (2) incluant des composants électroniques intégrés (7) qui sont spécifiquement choisis de sorte à supporter des traitements thermiques à des températures supérieures à un seuil haut de température (Sh), et le deuxième étage électronique (3) incluant des composants électroniques intégrés (8) qui sont spécifiquement choisis de sorte à supporter des traitements thermiques à des températures inférieures à un seuil bas de température (Sb), inférieur au seuil haut de température (Sh) précité, et qui ne supportent pas des traitements thermiques à des températures supérieures au seuil haut de température (Sh) précité. Figure pour l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：FR3056826B1

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：FR1659175

申请日：2016-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOURVEST EMMANUEL ,  LE FRIEC YANNICK ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/21 ,  H01L45/00

Abstract: L'invention concerne un ensemble de deux cellules mémoire à changement de phase comprenant : deux premiers vias (32, 33) en un premier métal tel que le tungstène ; un via central (34) situé entre les premiers vias (32, 33), la partie inférieure du via central (34) étant en le premier métal et sa partie supérieure (44) en un second métal tel que le cuivre ; un élément résistif (48) sur chacun des premiers vias (32, 33) ; et une couche de matériau à changement de phase en contact avec des sommets des éléments résistifs (48).

公开(公告)号：FR3056826A1

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：FR1659175

申请日：2016-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOURVEST EMMANUEL ,  LE FRIEC YANNICK ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/21 ,  H01L45/00

Abstract: L'invention concerne un ensemble de deux cellules mémoire à changement de phase comprenant : deux premiers vias (32, 33) en un premier métal tel que le tungstène ; un via central (34) situé entre les premiers vias (32, 33), la partie inférieure du via central (34) étant en le premier métal et sa partie supérieure (44) en un second métal tel que le cuivre ; un élément résistif (48) sur chacun des premiers vias (32, 33) ; et une couche de matériau à changement de phase en contact avec des sommets des éléments résistifs (48).

公开(公告)号：FR3124891A1

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：FR2107027

申请日：2021-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: G11C11/56

Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule étant séparée des cellules voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules voisines d'une même colonne de la matrice par une même première distance (L1), et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égale à 2. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3123505A1

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：FR2105618

申请日：2021-05-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOURAUD PASCAL ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L45/00

Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une cellule mémoire comprenant : a) la formation d'un empilement (16, 18, 22, 24, 26) comprenant une première couche (16) en un matériau à changement de phase et une deuxième couche (18) conductrice ; b) la formation d'un premier masque (20) sur l'empilement recouvrant uniquement l'emplacement de la cellule mémoire ; c) la gravure des parties de l'empilement non recouvertes par le premier masque (20). Figure pour l'abrégé : Fig. 5

公开(公告)号：FR3073319A1

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：FR1760543

申请日：2017-11-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ARNAUD FRANCK ,  GALPIN DAVID ,  ZOLL STEPHANE ,  HINSINGER OLIVIER ,  FAVENNEC LAURENT ,  ODDOU JEAN-PIERRE ,  BROUSSOUS LUCILE ,  BOIVIN PHILIPPE ,  WEBER OLIVIER ,  BRUN PHILIPPE ,  MORIN PIERRE

IPC: H01L21/822 ,  G11C13/02

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comportant des points mémoire à matériau à changement de phase (134) et des transistors (110, 112), comprenant : a) former les transistors et des premiers et deuxièmes vias (120B, 120A) s'étendant depuis des bornes (122A, 122B) des transistors et atteignant une même hauteur ; b) former un premier niveau de métal comprenant des premières pistes d'interconnexion (202) en contact avec les premiers vias (120B) ; c) former des éléments de chauffage (132) des matériaux à changement de phase sur les deuxièmes vias (120A) ; d) former les matériaux à changement de phase (134) sur les éléments de chauffage (132) ; et e) former un deuxième niveau de métal comprenant des deuxièmes pistes d'interconnexion et situé au-dessus des matériaux à changement de phase, et former des troisièmes vias (204) s'étendant des matériaux à changement de phase jusqu'aux deuxièmes pistes.