公开(公告)号：FR3122770A1

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：FR2104781

申请日：2021-05-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  DHAR SIDDHARTHA ,  FLEURY ALAIN

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/02 ,  H01L29/41

Abstract: Circuit électronique comprenant des interrupteurs RF à capacités parasites réduites La présente description concerne un circuit électronique (40) comprenant un substrat semiconducteur (46), des interrupteurs radiofréquence correspondant à des transistors MOS (50) comprenant des régions semiconductrices dopées (52, 54) dans le substrat, au moins deux niveaux de métallisation (M1, M2, M3) recouvrant le substrat, chaque niveau de métallisation comprenant un empilement de couches isolantes (60_1, 60_2, 60_3), des piliers conducteurs (64_1, 64_2, 64_3) surmontés de pistes métalliques (62_1, 62_2, 62_3), au moins deux éléments de connexion (66, 68) connectant chacun l’une des régions semiconductrices dopées et formés par des piliers conducteurs et des pistes conductrices de chaque niveau de métallisation. Le circuit électronique comprend en outre, entre les deux éléments de connexion, une tranchée (70) traversant entièrement l’empilement de couches isolantes d’un niveau de métallisation et traversant en outre partiellement l’empilement de couches isolantes du niveau de métallisation le plus proche du substrat, et un dispositif dissipateur de chaleur (80) adapté à dissiper la chaleur hors de la tranchée. Figure pour l’abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3152192A1

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：FR2308741

申请日：2023-08-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： DHAR SIDDHARTHA ,  MONFRAY STEPHANE

Abstract: Commutateur RF La présente description concerne un transistor (10) comportant, sur une couche semiconductrice (11), un empilement d'une couche d'isolant de grille (13) et d'une couche de grille conductrice (17), dans lequel : la longueur de la grille conductrice (L1, L3) est moins importante du côté d'une face inférieure, située au voisinage de la couche d'isolant de grille (13), et est plus importante du côté d'une face supérieure, opposée à la face inférieure ; et les flancs latéraux de la couche de grille conductrice (17) sont recouverts, sur une partie inférieure par un premier matériau (291) et sur une partie supérieure par un deuxième matériau (293), le premier matériau ayant un module de Young plus important que celui du deuxième matériau. Figure pour l'abrégé : Fig. 1