公开(公告)号：FR3096827A1

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：FR1905665

申请日：2019-05-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  BENOIT DANIEL ,  BERTHELON REMY

IPC: G11C13/02

Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant la formation d'une première couche isolante (50) dans des cavités (42) situées à l'aplomb de bandes de matériau à changement de phase (28), et la gravure anisotrope des parties de la première couche isolante (50) situées au fond des cavités (42) ; et un dispositif mémoire à changement de phase comprenant une première couche isolante (50) contre des parois latérales de cavités (42) situées à l'aplomb de bandes de matériau à changement de phase (28). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3057395A1

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：FR1659700

申请日：2016-10-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BENOIT DANIEL ,  HINSINGER OLIVIER ,  GOURVEST EMMANUEL

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image à éclairement par la face arrière, comprenant des régions mémoire formées dans une plaquette semiconductrice, chaque région mémoire (9) étant située entre deux murs opaques (80) qui s'étendent dans la plaquette et sont en contact avec un écran opaque (96) disposé en face arrière de la région mémoire.