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公开(公告)号：FR3096827A1
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：FR1905665
申请日：2019-05-28
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , BENOIT DANIEL , BERTHELON REMY
IPC: G11C13/02
Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant la formation d'une première couche isolante (50) dans des cavités (42) situées à l'aplomb de bandes de matériau à changement de phase (28), et la gravure anisotrope des parties de la première couche isolante (50) situées au fond des cavités (42) ; et un dispositif mémoire à changement de phase comprenant une première couche isolante (50) contre des parois latérales de cavités (42) situées à l'aplomb de bandes de matériau à changement de phase (28). Figure pour l'abrégé : Fig. 3
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公开(公告)号：FR3070220A1
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：FR1757702
申请日：2017-08-16
Inventor： FAGOT JEAN-JACQUES , BOIVIN PHILIPPE , ARNAUD FRANCK
IPC: H01L27/02
Abstract: L'invention concerne une puce électronique comprenant un premier transistor (BULK) disposé dans et sur un substrat (8) massif, un deuxième transistor (FDSOI) disposé dans et sur une couche de matériau semiconducteur (12) sur isolant (10) d'une première épaisseur et un troisième transistor (PDSOI) disposé dans et sur une couche de matériau semiconducteur (12, 22) sur isolant (10) d'une seconde épaisseur, la seconde épaisseur étant supérieure à la première.
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公开(公告)号：FR3062236A1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：FR1750540
申请日：2017-01-23
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , RISTOIU DELIA
Abstract: L'invention concerne une barre de connexion (32) comprenant : une partie principale constituée d'une bande conductrice (34) s'étendant au-dessus de zones disjointes à interconnecter (16), la bande conductrice étant séparée de tout matériau conducteur par un matériau diélectrique, à l'exception des zones à interconnecter ; et des parties secondaires constituées de premiers plots conducteurs (36) traversant le matériau diélectrique, chacun de ces premiers plots s'étendant verticalement d'une zone à interconnecter (16) à la bande conductrice (34).
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公开(公告)号：FR3049111B1
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：FR1652379
申请日：2016-03-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： WEBER OLIVIER , RICHARD EMMANUEL , BOIVIN PHILIPPE
IPC: H01L25/16
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公开(公告)号：FR3115932A1
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：FR2011087
申请日：2020-10-29
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , SIMOLA ROBERTO , MOUSTAPHA-RABAULT YOHANN
IPC: H01L45/00
Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un dispositif comprenant des cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule mémoire (10) comprenant un premier élément résistif (26) en contact latéral avec un deuxième élément (24) en un matériau à changement de phase. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3079964A1
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：FR1853043
申请日：2018-04-06
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , FAGOT JEAN-JACQUES , PETITPREZ EMMANUEL , SOUCHIER EMELINE , WEBER OLIVIER
IPC: H01L21/77 , H01L21/8222 , H01L25/00
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公开(公告)号：FR3073319A1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：FR1760543
申请日：2017-11-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： ARNAUD FRANCK , GALPIN DAVID , ZOLL STEPHANE , HINSINGER OLIVIER , FAVENNEC LAURENT , ODDOU JEAN-PIERRE , BROUSSOUS LUCILE , BOIVIN PHILIPPE , WEBER OLIVIER , BRUN PHILIPPE , MORIN PIERRE
IPC: H01L21/822 , G11C13/02
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comportant des points mémoire à matériau à changement de phase (134) et des transistors (110, 112), comprenant : a) former les transistors et des premiers et deuxièmes vias (120B, 120A) s'étendant depuis des bornes (122A, 122B) des transistors et atteignant une même hauteur ; b) former un premier niveau de métal comprenant des premières pistes d'interconnexion (202) en contact avec les premiers vias (120B) ; c) former des éléments de chauffage (132) des matériaux à changement de phase sur les deuxièmes vias (120A) ; d) former les matériaux à changement de phase (134) sur les éléments de chauffage (132) ; et e) former un deuxième niveau de métal comprenant des deuxièmes pistes d'interconnexion et situé au-dessus des matériaux à changement de phase, et former des troisièmes vias (204) s'étendant des matériaux à changement de phase jusqu'aux deuxièmes pistes.
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公开(公告)号：FR2880473A1
公开(公告)日：2006-07-07
申请号：FR0453260
申请日：2004-12-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： BOIVIN PHILIPPE
IPC: H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/22 , H01L43/12
Abstract: L'invention concerne un élément mémoire (94) pour mémoire vive magnétique, contenu dans un évidement (85) d'une couche isolante (80, 81), l'évidement comportant une partie (84) à flancs inclinés s'étendant jusqu'au fond de l'évidement, l'élément mémoire comportant une première portion de couche magnétique (96) recouvrant de façon sensiblement conforme le fond de l'évidement et la partie de l'évidement à flancs inclinés et en contact, au niveau du fond de l'évidement, avec une portion conductrice (44, 60), une portion de couche non magnétique (98) recouvrant de façon sensiblement conforme la première portion de couche magnétique et une seconde portion de couche magnétique (100) recouvrant la portion de couche non magnétique.
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公开(公告)号：FR3086452B1
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：FR1858602
申请日：2018-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： BOIVIN PHILIPPE
Abstract: La présente description concerne une cellule mémoire (100) résistive, comprenant un empilement d'un sélecteur (108), d'un élément résistif (110) et d'une couche de matériau à changement de phase (112), le sélecteur n'étant pas en contact physique avec le matériau à changement de phase.
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公开(公告)号：FR3079965A1
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：FR1853041
申请日：2018-04-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： BOIVIN PHILIPPE
IPC: H01L21/77 , H01L21/8222 , H01L25/00
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