公开(公告)号：FR3153688A1

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：FR2310501

申请日：2023-10-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： BREZZA EDOARDO ,  GAUTHIER ALEXIS

IPC: H01L21/02

Abstract: Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire (10) comprenant : a. la formation, sur un substrat (12), d'un premier empilement de couches comprenant une première couche (18) en le matériau de la base du transistor bipolaire entre des deuxième (16) et troisième (20) couches isolantes ; b. la formation d'une première cavité (22) traversant le premier empilement de manière à atteindre le substrat (12), l'étape de formation de la première cavité (22) ne comprend la gravure d'aucune couche recouvrant la première couche (18) autre que la troisième couche (20) ; et c. la formation d'une première portion (26) du collecteur du transistor bipolaire et d'une deuxième portion (28) de la base du transistor bipolaire dans la première cavité. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3153928A1

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：FR2310679

申请日：2023-10-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： RIVAL ARNAUD ,  GAUTHIER ALEXIS ,  BREZZA EDOARDO ,  CHEVALIER PASCAL

Abstract: Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire La présente description concerne un procédé de fabrication d’un transistor bipolaire (201) comprenant :- la formation d’une première partie (213A, 213B) d’un collecteur (213) dopé d’un premier type de conductivité dans une couche de semiconducteur (210);- la formation d’une première région isolante (231, 232), comprenant un premier matériau isolant, sur la première partie du collecteur ;- la formation d’une couche de conduction sur la première région isolante, ladite couche de conduction étant destinée à former une première partie (214C) d’une base (214) dopée du deuxième type de conductivité ;- la formation d’une ouverture dans la couche de conduction, ladite ouverture débouchant sur la première région isolante et ayant une première largeur ;- la formation d’une couche isolante sur la couche de conduction et dans l’ouverture ;- la formation d’une cavité dans la couche isolante et dans la première région isolante, ladite cavité débouchant sur une portion de la première partie du collecteur en traversant l’ouverture, la cavité présentant au niveau de l’ouverture une deuxième largeur inférieure à la première largeur ;- la formation d’une deuxième partie (213C) du collecteur dans la cavité sur la portion de la première partie du collecteur. Figure pour l'abrégé : Fig. 2L