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公开(公告)号：FR3148117B1
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：FR2304036
申请日：2023-04-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： CHEVALIER PASCAL , GUITARD NICOLAS
Abstract: Transistor bipolaire La présente description concerne un dispositif électronique (10) comprenant un transistor bipolaire (12), le collecteur (30, 32, 34) du transistor bipolaire comprenant des première (30, 32) et deuxième (34) régions, la deuxième région (34) étant entre la première région (30, 32) et la base (40, 40a, 40b) du transistor bipolaire, le transistor bipolaire comprenant un élément conducteur (36) entourant au moins partiellement la deuxième partie (34) et étant situé entre la première partie (30, 32) et la base (40, 40a, 40b). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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