公开(公告)号：FR3012671B1

公开(公告)日：2015-11-13

申请号：FR1360538

申请日：2013-10-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMOA ANTONIO ,  ARRAZAT BRICE

IPC: H01L27/02

公开(公告)号：FR3006808A1

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：FR1355221

申请日：2013-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMO ANTONIO ,  ARRAZAT BRICE

IPC: H01L27/02 ,  B81B3/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/24

Abstract: Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie d'interconnexion (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Le circuit intégré comprend en outre au sein de ladite partie d'interconnexion, un dispositif de commutation électriquement activable (DIS) comportant dans une cavité d'un logement (LGT) un ensemble (1) incluant une poutre (PTR) maintenue par une structure (STR) solidaire du logement, la poutre et la structure étant métalliques et situées au sein d'un même niveau de métallisation, les emplacements de fixation (EMP11-EMP22) de la structure sur la poutre étant agencés de façon à définir pour la poutre un point de pivot (O) situé entre ces emplacements de fixation, la structure étant sensiblement symétrique par rapport à la poutre et par rapport à un plan perpendiculaire à la poutre en l'absence d'une différence de potentiel appliquée sur la structure, ladite poutre étant apte à pivoter dans un premier sens en présence d'une première différence de potentiel appliquée entre une première partie (BR11, BR22) de la structure et à pivoter dans un deuxième sens en présence d'une deuxième différence de potentiel appliquée entre une deuxième partie (BR12, BR21) de la structure.

公开(公告)号：FR3006808B1

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：FR1355221

申请日：2013-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMO ANTONIO ,  ARRAZAT BRICE

IPC: H01L27/02 ,  B81B3/00 ,  H01L23/58 ,  H01L27/24

公开(公告)号：FR3012671A1

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：FR1360538

申请日：2013-10-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  DI-GIACOMOA ANTONIO ,  ARRAZAT BRICE

IPC: H01L27/02

Abstract: Le dispositif comprend un ensemble thermiquement déformable (ENS) logé dans une cavité (CVT) de la partie d'interconnexion (RITX) d'un circuit intégré. L'ensemble peut fléchir lors d'une variation de température de façon à ce que sa zone d'extrémité libre (Z2) se déplace verticalement (DV).