公开(公告)号：EP1768189B1

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：EP06121151.2

申请日：2006-09-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A. ,  STMicroelectronics (Rousset) SAS ,  UNIVERSITE D'AIX-MARSEILLE I

Inventor： Bouchakour, Rachid ,  Bidal, Virginie ,  Candelier, Philippe ,  Fournel, Richard ,  Gendrier, Philippe ,  Laffont, Romain ,  Masson, Pascal ,  Mirabel, Jean-Michel ,  Régnier, Arnaud Avenue Paul Julien

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L29/42324

公开(公告)号：EP1505735A1

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：EP04103807.6

申请日：2004-08-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Fournel, Richard

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/00

CPC classification number: H03K19/0013 ,  H03K19/018521

Abstract: L'invention concerne un circuit d'interface pour transformer un premier signal variant entre une tension basse et une tension haute en un second signal variant entre une tension inférieure et une tension supérieure, la tension inférieure étant plus faible que la tension basse et/ou la tension supérieure étant plus élevée que la tension haute, comprenant: un circuit inverseur (10) recevant le premier signal et étant connecté pour son alimentation entre ladite tension supérieure et ladite tension inférieure, l'une au moins de ces connexions étant effectuée par l'intermédiaire d'au moins une diode (13,14), un élément de conversion alimenté entre lesdites tensions supérieure et inférieure, et recevant la sortie du circuit inverseur et fournissant le second signal, un élément de mémorisation (15,16) adapté à maintenir la sortie du circuit inverseur à ladite tension supérieure ou inférieure quand le premier signal est respectivement égal à la tension basse ou haute.

Abstract translation: 该接口电路具有PMOS晶体管（11）和一个NMOS晶体管（12），一个施密特触发电路（10）。 晶体管的栅极连接到上输入端（E2）。 施密特触发器电路的输出电压固定为大约1.2伏特。 PMOS晶体管和反相器（15，16）处于稳定状态。 逆变器的功率消耗是零当接口电路被关断。

公开(公告)号：EP1768189A1

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：EP06121151.2

申请日：2006-09-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A. ,  STMicroelectronics (Rousset) SAS ,  UNIVERSITE D'AIX-MARSEILLE I

Inventor： Bouchakour, Rachid ,  Bidal, Virginie ,  Candelier, Philippe ,  Fournel, Richard ,  Gendrier, Philippe ,  Laffont, Romain ,  Masson, Pascal ,  Mirabel, Jean-Michel ,  Régnier, Arnaud Avenue Paul Julien

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L29/42324

Abstract: L'invention concerne un point mémoire non volatil incluant une grille flottante (103) placée au-dessus d'un substrat semiconducteur (100), la grille flottante comprenant des portions actives (110) isolées du substrat par des couches isolantes fines (102), et des portions inactives (111,112) isolées du substrat par des couches isolantes épaisses (107) non traversables par des électrons, les portions actives étant majoritairement dopées de type P et les portions inactives comprenant au moins une zone dopée de type N constituant une partie d'une jonction PN.

Abstract translation: 存储点具有放置在P型半导体衬底（100）上方的浮置栅极（103），并且包括通过薄绝缘层（102）分别与衬底绝缘的中心部分（110）和端部（111,112） 和绝缘区域（107）。 中心部分被P型掺杂多数掺杂，并且端部包括构成PN结的一部分的N型掺杂区。 端部形成电子阱，使得注入栅极的电子存储在端部的电平上。