公开(公告)号：EP1524767B1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：EP04105052.7

申请日：2004-10-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Menard, Samuel ,  Mauriac, Christophe

IPC: H01L29/04 ,  H03K17/04 ,  H01L29/74

CPC classification number: H03K17/0403 ,  H01L29/7412 ,  H03K17/722

公开(公告)号：EP1524767A3

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：EP04105052.7

申请日：2004-10-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Menard, Samuel ,  Mauriac, Christophe

IPC: H01L29/04 ,  H03K17/04 ,  H01L29/74

CPC classification number: H03K17/0403 ,  H01L29/7412 ,  H03K17/722

Abstract: L'invention concerne un commutateur vertical de type SCR comprenant une zone de commande comprenant une première région de commande formant une première diode (D1) avec une première région ou couche voisine, et une seconde région de commande formant une seconde diode (D2) avec une seconde région ou couche voisine. Un contact est formé sur chacune des première et seconde régions de commande et sur chacune des première et seconde régions ou couches voisines. Les contacts sont connectés à des bornes (G1, G2) d'application d'une tension alternative de commande de sorte que, quand une tension alternative est appliquée, chacune des deux diodes soit alternativement conductrice.

Abstract translation: 本发明涉及包括控制区的SCR类型的垂直开关，该控制区包括形成具有第一区域或相邻层的第一二极管（D1）的第一控制区域和形成第二二极管（D2）的第二控制区域， 第二区域或相邻层。 接触形成在第一和第二控制区域中的每一个以及第一和第二区域或相邻层中的每一个上。 触点连接到用于施加控制交流电压的端子（G1，G2），使得当施加交流电压时，两个二极管中的每一个交替导电。

公开(公告)号：EP1798772A2

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：EP06126270.5

申请日：2006-12-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Mauriac, Christophe ,  Menard, Samuel

IPC: H01L29/74

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L29/7412 ,  H01L29/7428

Abstract: L'invention concerne un thyristor vertical adapté à une commande HF, comprenant une région de cathode (4) dans un caisson de base (3) de type P, une couche faiblement dopée de type P (11) à côté du caisson de base, une région faiblement dopée de type N (13) dans ladite couche faiblement dopée de type P, un contact Schottky (MS) sur la région faiblement dopée de type N relié à une borne de commande (C), et une connexion entre la région faiblement dopée de type N (13) et le caisson de base de type P (3).

Abstract translation: 晶闸管在晶闸管的前表面的一侧具有轻掺杂的P型层（11），并且在P型壳体（3）的下方延伸，其中该层的深度大于壳体的深度。 在壳体旁边的层中形成轻掺杂的N型区域（13），并且通过沉积金属化（MS）在N型区域上形成肖特基接触。 触点连接到控制端子（C），其中端子对应于与晶闸管的栅极串联的肖特基二极管的阳极。

公开(公告)号：EP1524767A2

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：EP04105052.7

申请日：2004-10-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Menard, Samuel ,  Mauriac, Christophe

IPC: H03K17/04 ,  H01L29/74

CPC classification number: H03K17/0403 ,  H01L29/7412 ,  H03K17/722

Abstract: L'invention concerne un commutateur vertical de type SCR comprenant une zone de commande comprenant une première région de commande formant une première diode (D1) avec une première région ou couche voisine, et une seconde région de commande formant une seconde diode (D2) avec une seconde région ou couche voisine. Un contact est formé sur chacune des première et seconde régions de commande et sur chacune des première et seconde régions ou couches voisines. Les contacts sont connectés à des bornes (G1, G2) d'application d'une tension alternative de commande de sorte que, quand une tension alternative est appliquée, chacune des deux diodes soit alternativement conductrice.

Abstract translation: 开关具有插入电源电路中的控制电路（40），并且具有与各个半导体层形成二极管（D1，D2）的两个控制区域。 在每个控制区域和层上形成接触。 当高频信号施加到每个二极管的端子时，触点连接到施加替代控制电压的栅极端子（G1，G2），使得每个二极管交替导通。