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公开(公告)号：EP1760785A2
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：EP06119929.5
申请日：2006-08-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Menard, Samuel , Cheron, Benjamin , Edet, Arnaud
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L27/0814 , H01L27/0817
Abstract: L'invention concerne un composant réalisé dans un substrat (1) d'un premier type de conductivité, comportant deux entrées (E, REF) et deux sorties (A, K) et :
une première diode (D2) dont l'anode est connectée à une première entrée (E), sa cathode étant connectée à une première sortie (A) ;
une deuxième diode (D1) dont l'anode est connectée à une seconde sortie (K), sa cathode étant connectée à la première entrée ;
un commutateur unidirectionnel (Th) dont l'anode est connectée à la première sortie, sa cathode étant connectée à la seconde sortie ; et
une troisième diode (D3) dont l'anode est connectée à la seconde sortie, sa cathode étant connectée à la première sortie ;
les première, deuxième et troisième diodes étant réalisées dans une première partie du substrat séparée par un mur (2) du second type de conductivité d'une seconde partie du substrat comportant le commutateur.Abstract translation: 该电路具有二极管，其阳极连接到输入和输出端子（E，K），阴极连接到输出和输入端子（A，E）。 可控制闭合的阴极晶闸管分别具有连接到端子（A，K）的阳极和阴极。 第三二极管分别具有与端子（K，A）连接的阳极和阴极。 晶闸管形成在半导体衬底的与二极管形成的其它部分分离的部分上，该导电型的一个壁与整个衬底厚度相交。
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公开(公告)号：EP1524767B1
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：EP04105052.7
申请日：2004-10-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Menard, Samuel , Mauriac, Christophe
CPC classification number: H03K17/0403 , H01L29/7412 , H03K17/722
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公开(公告)号：EP1524767A3
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：EP04105052.7
申请日：2004-10-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Menard, Samuel , Mauriac, Christophe
CPC classification number: H03K17/0403 , H01L29/7412 , H03K17/722
Abstract: L'invention concerne un commutateur vertical de type SCR comprenant une zone de commande comprenant une première région de commande formant une première diode (D1) avec une première région ou couche voisine, et une seconde région de commande formant une seconde diode (D2) avec une seconde région ou couche voisine. Un contact est formé sur chacune des première et seconde régions de commande et sur chacune des première et seconde régions ou couches voisines. Les contacts sont connectés à des bornes (G1, G2) d'application d'une tension alternative de commande de sorte que, quand une tension alternative est appliquée, chacune des deux diodes soit alternativement conductrice.
Abstract translation: 本发明涉及包括控制区的SCR类型的垂直开关，该控制区包括形成具有第一区域或相邻层的第一二极管（D1）的第一控制区域和形成第二二极管（D2）的第二控制区域， 第二区域或相邻层。 接触形成在第一和第二控制区域中的每一个以及第一和第二区域或相邻层中的每一个上。 触点连接到用于施加控制交流电压的端子（G1，G2），使得当施加交流电压时，两个二极管中的每一个交替导电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：EP1672699B1
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：EP05112231.5
申请日：2005-12-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Menard, Samuel
IPC: H01L29/747
CPC classification number: H01L29/747 , H01L29/7404
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公开(公告)号：EP1760785A3
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：EP06119929.5
申请日：2006-08-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Menard, Samuel , Cheron, Benjamin , Edet, Arnaud
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L27/0814 , H01L27/0817
Abstract: L'invention concerne un composant réalisé dans un substrat (1) d'un premier type de conductivité, comportant deux entrées (E, REF) et deux sorties (A, K) et :
une première diode (D2) dont l'anode est connectée à une première entrée (E), sa cathode étant connectée à une première sortie (A) ;
une deuxième diode (D1) dont l'anode est connectée à une seconde sortie (K), sa cathode étant connectée à la première entrée ;
un commutateur unidirectionnel (Th) dont l'anode est connectée à la première sortie, sa cathode étant connectée à la seconde sortie ; et
une troisième diode (D3) dont l'anode est connectée à la seconde sortie, sa cathode étant connectée à la première sortie ;
les première, deuxième et troisième diodes étant réalisées dans une première partie du substrat séparée par un mur (2) du second type de conductivité d'une seconde partie du substrat comportant le commutateur.-
公开(公告)号：EP1798772A2
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：EP06126270.5
申请日：2006-12-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Mauriac, Christophe , Menard, Samuel
IPC: H01L29/74
CPC classification number: H01L29/47 , H01L29/7412 , H01L29/7428
Abstract: L'invention concerne un thyristor vertical adapté à une commande HF, comprenant une région de cathode (4) dans un caisson de base (3) de type P, une couche faiblement dopée de type P (11) à côté du caisson de base, une région faiblement dopée de type N (13) dans ladite couche faiblement dopée de type P, un contact Schottky (MS) sur la région faiblement dopée de type N relié à une borne de commande (C), et une connexion entre la région faiblement dopée de type N (13) et le caisson de base de type P (3).
Abstract translation: 晶闸管在晶闸管的前表面的一侧具有轻掺杂的P型层（11），并且在P型壳体（3）的下方延伸，其中该层的深度大于壳体的深度。 在壳体旁边的层中形成轻掺杂的N型区域（13），并且通过沉积金属化（MS）在N型区域上形成肖特基接触。 触点连接到控制端子（C），其中端子对应于与晶闸管的栅极串联的肖特基二极管的阳极。
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7.发明公开
公开(公告)号：EP1672699A1
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：EP05112231.5
申请日：2005-12-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Menard, Samuel
IPC: H01L29/747
CPC classification number: H01L29/747 , H01L29/7404
Abstract: L'invention concerne un commutateur monolithique bidirectionnel vertical à commande en tension, référencée par rapport à la face arrière du commutateur, formé à partir d'un substrat semiconducteur faiblement dopé de type N, dans lequel la structure de commande comprend, du côté de la face avant, un premier caisson de type P (24) dans lequel est formée une région de type N (25), et un deuxième caisson de type P (27) dans lequel est formé un transistor MOS, le premier caisson de type P (24) et la grille (29) du transistor MOS étant reliés à une borne de commande (G), ladite région de type N (25) étant connectée à une borne principale (26) du transistor MOS, et la deuxième borne principale (28) du transistor MOS étant connectée au potentiel de face arrière du commutateur.
Abstract translation: 开关具有分别在前表面侧形成有N型区域（25）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的P型阱（4,5）。 晶体管的一个阱和栅极连接到控制端子。 N型区域连接到晶体管的主端子。 晶体管的另一个主端子连接到开关的背面电压。
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公开(公告)号：EP1524767A2
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：EP04105052.7
申请日：2004-10-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Menard, Samuel , Mauriac, Christophe
CPC classification number: H03K17/0403 , H01L29/7412 , H03K17/722
Abstract: L'invention concerne un commutateur vertical de type SCR comprenant une zone de commande comprenant une première région de commande formant une première diode (D1) avec une première région ou couche voisine, et une seconde région de commande formant une seconde diode (D2) avec une seconde région ou couche voisine. Un contact est formé sur chacune des première et seconde régions de commande et sur chacune des première et seconde régions ou couches voisines. Les contacts sont connectés à des bornes (G1, G2) d'application d'une tension alternative de commande de sorte que, quand une tension alternative est appliquée, chacune des deux diodes soit alternativement conductrice.
Abstract translation: 开关具有插入电源电路中的控制电路（40），并且具有与各个半导体层形成二极管（D1，D2）的两个控制区域。 在每个控制区域和层上形成接触。 当高频信号施加到每个二极管的端子时，触点连接到施加替代控制电压的栅极端子（G1，G2），使得每个二极管交替导通。
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