公开(公告)号：FR2918504B1

公开(公告)日：2009-11-27

申请号：FR0756321

申请日：2007-07-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PONTAROLLO SERGE ,  BERGER DOMINIQUE

IPC: H01L29/8605 ,  G11C7/06 ,  H01L27/07

公开(公告)号：FR2918504A1

公开(公告)日：2009-01-09

申请号：FR0756321

申请日：2007-07-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PONTAROLLO SERGE ,  BERGER DOMINIQUE

IPC: H01L29/8605 ,  G11C7/06 ,  H01L27/07

Abstract: L'invention concerne une résistance constituée d'une région faiblement dopée (35) de type P formée dans une partie (29) d'un caisson semiconducteur (25) faiblement dopé de type N s'étendant sur un substrat semiconducteur (21) faiblement dopé de type P, le caisson étant délimité latéralement par un mur de type P (27) s'étendant jusqu'au substrat (21), la partie (29) du caisson (25) étant délimitée verticalement par une zone enterrée fortement dopée de type N (31) à la limite entre le caisson (29) et le substrat (21) et horizontalement par un mur (33) fortement dopé de type N. Une diode (45) est placée entre une borne (37) de la résistance et le mur (33) fortement dopé de type N, la cathode de la diode (45) étant reliée à ladite borne (37).