公开(公告)号：FR2930371A1

公开(公告)日：2009-10-23

申请号：FR0802106

申请日：2008-04-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MAZOYER PASCALE ,  BOSSU GERMAIN

IPC: H01L21/8239 ,  G11C11/34 ,  G11C16/02

Abstract: Une structure mémoire comportant un transistor d'accès (TR) connecté en série avec un élément résistif programmable (EM), caractérisé en ce que ledit élément résistif programmable comporte sur un substrat semi-conducteur (110) ; une couche isolante (170) disposant d'un évidement comportant :- une première couche (140) tapissant les surfaces latérales et le fond dudit évidemment et imperméable à la diffusion de métal ;- une seconde couche (150) composé d'un matériau poreux sur ladite première couche ; :- une troisième couche (160) de matériau métallique permettant de réaliser une électrode de contact susceptible de diffusion au sein dudit matériau poreux constitué de la seconde couche.La diffusion des ions métalliques au sein de ladite seconde couche étant commandée par l'action conjointe d'un champ électrique et de la température.Un procédé de fabrication est également décrit.

公开(公告)号：FR2930371B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：FR0802106

申请日：2008-04-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MAZOYER PASCALE ,  BOSSU GERMAIN

IPC: H01L21/8239 ,  G11C11/34 ,  G11C16/02