公开(公告)号：FR2879338A1

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：FR0413248

申请日：2004-12-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DELSUC BERTRAND ,  TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C16/12

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire (CEijk) comprenant un transistor d'accès (AT) et un transistor à grille flottante (FGTE), le transistor à grille flottante comportant une grille de contrôle (42), une région de drain (40) reliée à une région de source (11) du transistor d'accès, une grille flottante (43) et une fenêtre tunnel (TW). Selon l'invention, la cellule mémoire comprend un transistor de contrôle (CT) distinct du transistor d'accès, la grille flottante (43) comprend une extension (43-3) s'étendant en regard de la région de source (51) du transistor de contrôle, et la fenêtre tunnel (TW) est agencée entre l'extension (43-3) de la grille flottante (43) et la région de source du transistor de contrôle. En phase de programmation, un potentiel électrique d'effacement ou de programmation de la cellule mémoire est appliqué sur la région de drain (50) du transistor de contrôle, par l'intermédiaire de sa région de source (51). Avantages : suppression du stress de programmation du transistor à grille flottante.