公开(公告)号：FR2907259A1

公开(公告)日：2008-04-18

申请号：FR0609038

申请日：2006-10-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUMAS LAURIN ,  JENNY CECILE ,  CAUBET PIERRE

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

Abstract: On réalise une barrière métallique au dessus d'une portion métallique d'un produit semiconducteur, en formant (41) une couche métallique à la surface de la portion métallique, cette couche métallique comprenant un matériau métallique à base de cobalt. Puis, éventuellement après une étape (42 de désoxydation, on réalise une étape (43) de siliciuration et une étape (44) de nitruration du matériau métallique à base de cobalt de la couche métallique. Les propriétés de blocage des atomes de cuivre (par exemple) et de résistance à l'oxydation de la barrière métallique sont améliorées.