公开(公告)号：FR2875053A1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：FR0409467

申请日：2004-09-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAUBET PIERRE ,  GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: La présente demande a pour objet un circuit intégré comprenant des lignes de cuivre, caractérisé en ce que la structure cristalline du cuivre a une orientation cristalline supérieure à 30% et une orientation cristalline inférieure à 20%.

公开(公告)号：FR2891084A1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：FR0507269

申请日：2005-07-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAUBET PIERRE ,  CASANOVA NICOLAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L27/08 ,  H01L27/146

Abstract: Un produit semiconducteur comprenant une portion en cuivre, une portion en un matériau diélectrique, et une barrière auto-alignée entre la portion en cuivre et la portion en matériau diélectrique. La barrière auto-alignée comprend une première couche de siliciure de cuivre comprenant en majorité des premières molécules de siliciure de cuivre, et une seconde couche de siliciure de cuivre comprenant en majorité des secondes molécules de siliciure de cuivre. La proportion du nombre d'atomes de silicium est plus élevée dans les secondes molécules que dans les premières molécules.

公开(公告)号：FR2896621A1

公开(公告)日：2007-07-27

申请号：FR0600561

申请日：2006-01-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAUBET PIERRE ,  GROS JEAN MICHAEL

IPC: H01L27/146 ,  G02B5/20 ,  H01L31/0216

Abstract: L'invention propose un circuit intégré 1 comprenant au moins un élément photosensible 2 capable de délivrer un signal électrique lorsqu'il est atteint par au moins une longueur d'onde du spectre visible, et un système électro-optique 20. Le système électro-optique 20 est situé sur le trajet d'au moins un rayon lumineux capable d'atteindre l'élément photosensible 2 et possède au moins une propriété optique qui peut être modifiée par une commande électrique.

公开(公告)号：FR2896621B1

公开(公告)日：2008-06-27

申请号：FR0600561

申请日：2006-01-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAUBET PIERRE ,  GROS JEAN MICHAEL

IPC: H01L27/146 ,  G02B5/20 ,  H01L31/0216

Abstract: The circuit (1) has a photodiode (2) delivering an electrical signal when the photodiode is attained by a wavelength of visible spectrum, where the photodiode comprises polymorphous or amorphous hydrated silicon. An electro-optical system (20) is situated on a path of light rays reaching the photodiode and has an optical property e.g. transmission co-efficient, modified by an electrical control. The system filters 80 percent of large wavelength from the visible spectrum. An independent claim is also included for a method for forming an integrated circuit.

公开(公告)号：FR2907259A1

公开(公告)日：2008-04-18

申请号：FR0609038

申请日：2006-10-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUMAS LAURIN ,  JENNY CECILE ,  CAUBET PIERRE

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

Abstract: On réalise une barrière métallique au dessus d'une portion métallique d'un produit semiconducteur, en formant (41) une couche métallique à la surface de la portion métallique, cette couche métallique comprenant un matériau métallique à base de cobalt. Puis, éventuellement après une étape (42 de désoxydation, on réalise une étape (43) de siliciuration et une étape (44) de nitruration du matériau métallique à base de cobalt de la couche métallique. Les propriétés de blocage des atomes de cuivre (par exemple) et de résistance à l'oxydation de la barrière métallique sont améliorées.