公开(公告)号：FR2910172A1

公开(公告)日：2008-06-20

申请号：FR0759356

申请日：2007-11-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01B19/00 ,  C08J9/26 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

Abstract: La réalisation d'un élément diélectrique poreux comprend la formation 1 d'au moins un premier matériau diélectrique et d'au moins un deuxième matériau dispersé dans le premier matériau, et le retrait 2 du deuxième matériau, ce retrait 2 du deuxième matériau comprenant une dissolution chimique.

公开(公告)号：FR3027156A1

公开(公告)日：2016-04-15

申请号：FR1459727

申请日：2014-10-10

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/0248 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode pincée, comprenant : la formation d'une région (13) de conversion de photons en charges électriques d'un premier type de conductivité sur un substrat (11, 12) du deuxième type de conductivité ; le revêtement de ladite région par une couche d'un isolant (22) fortement dopé du deuxième type de conductivité ; et un recuit assurant une diffusion de dopants en provenance de la couche d'isolant fortement dopé.

公开(公告)号：FR2910178B1

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：FR0655558

申请日：2006-12-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L21/312 ,  C08J9/26 ,  H01B19/00 ,  H01L21/768

公开(公告)号：FR2910178A1

公开(公告)日：2008-06-20

申请号：FR0655558

申请日：2006-12-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L21/312 ,  C08J9/26 ,  H01B19/00 ,  H01L21/768

Abstract: La réalisation d'un élément diélectrique poreux comprend la formation 1 d'au moins un premier matériau diélectrique et d'au moins un deuxième matériau dispersé dans le premier matériau, et le retrait 2 du deuxième matériau, ce retrait 2 du deuxième matériau comprenant une dissolution chimique.