公开(公告)号：FR2910172A1

公开(公告)日：2008-06-20

申请号：FR0759356

申请日：2007-11-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01B19/00 ,  C08J9/26 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

Abstract: La réalisation d'un élément diélectrique poreux comprend la formation 1 d'au moins un premier matériau diélectrique et d'au moins un deuxième matériau dispersé dans le premier matériau, et le retrait 2 du deuxième matériau, ce retrait 2 du deuxième matériau comprenant une dissolution chimique.

公开(公告)号：FR2957717A1

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：FR1052034

申请日：2010-03-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  IBM

Inventor： JEANNOT SIMON ,  TANNHOF PASCAL

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L23/535

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une structure capacitive (C) dans un niveau métallique (Mn) d'un empilement d'interconnexion comprenant une succession de niveaux métalliques et de niveaux de vias, comprenant les étapes suivantes : (a) former, dans ledit niveau métallique, au moins une piste conductrice (34) dans laquelle est définie une tranchée ; (b) former, de façon conforme, une couche isolante (54) sur la structure ; (c) former, dans la tranchée, un matériau conducteur (58) ; et (d) réaliser une planarisation de la structure.

公开(公告)号：FR2957459A1

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：FR1051687

申请日：2010-03-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  MARTY MICHEL ,  GIRAUDIN JEAN-CHRISTOPHE

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: La fabrication d'un circuit intégré comprend une réalisation de niveaux de métallisation au sein de régions isolantes comprenant un premier matériau ayant une première constante diélectrique, et une réalisation d'au moins un condensateur métal - isolant - métal comportant une formation d'armatures métalliques dans au moins un niveau de métallisation ; la réalisation du condensateur comprend un remplacement local du premier matériau (4) situé entre les armatures métalliques par au moins un deuxième matériau (8) ayant une deuxième constante diélectrique supérieure à la première constante diélectrique.

公开(公告)号：FR2957459B1

公开(公告)日：2013-09-27

申请号：FR1051687

申请日：2010-03-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  MARTY MICHEL ,  GIRAUDIN JEAN-CHRISTOPHE

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

公开(公告)号：FR2967300B1

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：FR1059296

申请日：2010-11-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： JEANNOT SIMON ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/24 ,  G11C11/40

公开(公告)号：FR2967300A1

公开(公告)日：2012-05-11

申请号：FR1059296

申请日：2010-11-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： JEANNOT SIMON ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/24 ,  G11C11/40

Abstract: Circuit intégré (CI) et procédé correspondant comprenant au moins un condensateur (CDA) d'un point-mémoire DRAM comprenant une électrode inférieure (AINF) et une électrode supérieure (ASUP) et au moins un condensateur supplémentaire (CDB,1, CDB2) métal-isolant-métal comprenant une électrode inférieure (BINF) et une électrode supérieure (BSUP), caractérisé en ce que l'électrode inférieure (BINF) du condensateur supplémentaire (CDB1, CDB2) est située dans le même plan (EAB) qu'au moins une partie de l'électrode supérieure (ASUP) du condensateur (CDA) du point-mémoire DRAM.

公开(公告)号：FR2957717B1

公开(公告)日：2012-05-04

申请号：FR1052034

申请日：2010-03-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  IBM

Inventor： JEANNOT SIMON ,  TANNHOF PASCAL

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L23/535

公开(公告)号：FR2910178B1

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：FR0655558

申请日：2006-12-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L21/312 ,  C08J9/26 ,  H01B19/00 ,  H01L21/768

公开(公告)号：FR2910178A1

公开(公告)日：2008-06-20

申请号：FR0655558

申请日：2006-12-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JEANNOT SIMON ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L21/312 ,  C08J9/26 ,  H01B19/00 ,  H01L21/768

Abstract: La réalisation d'un élément diélectrique poreux comprend la formation 1 d'au moins un premier matériau diélectrique et d'au moins un deuxième matériau dispersé dans le premier matériau, et le retrait 2 du deuxième matériau, ce retrait 2 du deuxième matériau comprenant une dissolution chimique.