公开(公告)号：FR2948811A1

公开(公告)日：2011-02-04

申请号：FR1050487

申请日：2010-01-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HAMOUCHE LAHCEN ,  LAFONT JEAN-CHRISTOPHE

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: Au bas d'une colonne (COLi) de cellules-mémoires (CEL) du type SRAM à cinq transistors sans port d'accès, on place une cellule supplémentaire (CLS), de structure identique aux cellules (CEL), qui permet l'écriture et la lecture d'une données dans une cellule-mémoire (CEL) de la colonne sans utiliser d'amplificateur de lecture.

公开(公告)号：FR2948810A1

公开(公告)日：2011-02-04

申请号：FR0955274

申请日：2009-07-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HAMOUCHE LAHCEN ,  LAFONT JEAN-CHRISTOPHE

IPC: G11C11/40 ,  G11C7/12 ,  G11C11/419

Abstract: Au bas d'une colonne (COLi) de cellules-mémoires (CEL) du type SRAM à cinq transistors sans port d'accès, on place une cellule supplémentaire (CLS), de structure identique aux cellules (CEL), qui permet l'écriture et la lecture d'une données dans une cellule-mémoire (CEL) de la colonne sans utiliser d'amplificateur de lecture.