公开(公告)号：FR2881875B1

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：FR0550374

申请日：2005-02-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LENOBLE DAMIEN ,  LALLEMENT FABRICE

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: A method for forming, in a single-crystal semiconductor substrate of a first conductivity type, doped surface regions of the second conductivity type and deeper doped regions of the first conductivity type underlying the surface regions, including the step of negatively biasing the substrate placed in the vicinity of a plasma including, in the form of cations dopants of the first conductivity type and dopants of a second conductivity type, the dopants of the second conductivity type having an atomic mass which is greater than that of the dopants of the first conductivity type.

公开(公告)号：FR2881875A1

公开(公告)日：2006-08-11

申请号：FR0550374

申请日：2005-02-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LENOBLE DAMIEN ,  LALLEMENT FABRICE

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, dans un substrat semiconducteur monocristallin d'un premier type conductivité, de régions de surface dopées du second type de conductivité et de régions plus profondes dopées du premier type de conductivité sous-jacentes auxdites régions de surface, comprenant l'étape consistant à polariser négativement le substrat (41) placé au voisinage d'un plasma (43) comportant sous forme de cations des dopants du premier type de conductivité et des dopants d'un second type de conductivité, les dopants du second type de conductivité ayant une masse atomique supérieure à celle des dopants du premier type de conductivité.