公开(公告)号：FR2893765A1

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：FR0511755

申请日：2005-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ALIEU JEROME ,  GUILLAUMET SIMON ,  LEGENDRE CHRISTOPHE ,  LENINGER HUGHES ,  ODDOU JEAN PIERRE ,  VINCENT MARC

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré photosensible comprenant les étapes consistant à :- réaliser des transistors de commande du circuit,- réaliser, au-dessus des transistors de commande, et entre au moins une électrode supérieure (E1) et au moins une électrode inférieure (E2), au moins une photodiode, par couches de silicium amorphe dans lesquelles sont absorbés des photons d'un rayonnement électromagnétique incident, et- réaliser au moins une couche de passivation, entre l'électrode inférieure et les transistors de commande,caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, une étape consistant à réaliser, entre les transistors de commande et la surface extérieure du circuit intégré, une couche réflective apte à réfléchir des photons non absorbés par les couches de silicium amorphe.