MEMOIRE A CELLULE MEMOIRE A TRANSISTOR MOS A CORPS ISOLE

    公开(公告)号:FR2894708A1

    公开(公告)日:2007-06-15

    申请号:FR0553767

    申请日:2005-12-08

    Abstract: L'invention concerne une mémoire vive dynamique (5) comprenant des cellules mémoire (T1,1, T1,2, T2,1, T2,2) réparties en rangées et en colonnes, chaque cellule mémoire comprenant un transistor MOS à corps flottant, la mémoire comprenant un moyen d'écriture (DL1, DL2, SL1, SL2) d'une donnée dans une cellule mémoire déterminée appartenant à une rangée déterminée et à une colonne déterminée, caractérisée en ce que le moyen d'écriture comprend un moyen adapté à amener les drains des cellules mémoire de la colonne déterminée à un potentiel V1 ; un moyen adapté à amener les sources des cellules mémoire de la rangée déterminée à un potentiel V2 ; et un moyen adapté à amener les drains des cellules mémoire des colonnes autres que la colonne déterminée et les sources des cellules mémoire des rangées autres que la rangée déterminée à un potentiel V3, les potentiels V1, V2 et V3 étant tels que |V1- V2|>|V3-V2| et (V1-V2) x (V3-V2)>0.

    ELEMENT INTEGRE DE MEMOIRE DYNAMIQUE A ACCES ALEATOIRE

    公开(公告)号:FR2885261A1

    公开(公告)日:2006-11-03

    申请号:FR0504317

    申请日:2005-04-28

    Inventor: MALINGE PIERRE

    Abstract: Un élément intégré de mémoire dynamique à accès aléatoire comprend un transistor (10) et une zone de stockage de charges électriques (5). Une surface de jonction électrique (J1) entre une zone de source (1) du transistor et la zone de stockage (5) est plus petite qu'une surface de jonction électrique (J2) entre une zone de drain (2) du transistor et la zone de stockage (5). Un tel élément de mémoire peut être réalisé partir d'un substrat standard de technologie SOI ou d'un substrat de silicium massif, et un bit stocké dans l'élément peut être effacé avec une consommation d'énergie réduite.

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