1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:FR2829876B1

    公开(公告)日:2004-07-02

    申请号:FR0112051

    申请日:2001-09-18

    Abstract: A photo-sensitive cell, with an inlet face (1) for light and a photo-sensitive element (3), has an element forming a light guide placed between the inlet face and the photo-sensitive element to ensure the optical coupling between them. The light guide element is made up of at least two dielectric materials having different optical refraction indices and arranged in concentric volumes (11, 12). An Independent claim is also included for a photo-sensitive matrix incorporating these photo-sensitive cells.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UNE PHOTODIODE ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT.

    公开(公告)号:FR2884351A1

    公开(公告)日:2006-10-13

    申请号:FR0503570

    申请日:2005-04-11

    Abstract: Procédé de fabrication d'un circuit intégré (CI) comprenant la réalisation d'une photodiode (PD) comportant la formation d'un empilement de trois couches semi-conductrices et la formation d'une zone de stockage surdopée (PK) dans la deuxième couche de l'emplacement, et la réalisation d'un transistor de lecture (TR) comportant la formation d'une grille (G) au-dessus de l'empilement. La formation de la zone de stockage (PK) comprend la réalisation d'un masque d'implantation (MS) au-dessus de la grille et de l'empilement et possédant une ouverture découvrant une partie de la grille et une partie de la surface supérieure de l'empilement située à côté de ladite partie découverte de la grille, et une première implantation oblique (IMP1) de dopants à travers ladite ouverture.

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