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    COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL A COMMANDE EN TENSION
    1.
    发明专利
    COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL A COMMANDE EN TENSION 未知

    公开(公告)号：FR2879350A1

    公开(公告)日：2006-06-16

    申请号：FR0452991

    申请日：2004-12-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MENARD SAMUEL

    IPC: H01L29/747

    Abstract: L'invention concerne un commutateur monolithique bidirectionnel vertical à commande en tension, référencée par rapport à la face arrière du commutateur, formé à partir d'un substrat semiconducteur faiblement dopé de type N, dans lequel la structure de commande comprend, du côté de la face avant, un premier caisson de type P (24) dans lequel est formée une région de type N (25), et un deuxième caisson de type P (27) dans lequel est formé un transistor MOS, le premier caisson de type P (24) et la grille (29) du transistor MOS étant reliés à une borne de commande (G), ladite région de type N (25) étant connectée à une borne principale (26) du transistor MOS, et la deuxième borne principale (28) du transistor MOS étant connectée au potentiel de face arrière du commutateur.

    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2864343A1

    公开(公告)日：2005-06-24

    申请号：FR0351138

    申请日：2003-12-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MENARD SAMUEL

    IPC: H01L29/74 ,  H01L29/747

    Abstract: The triac has a P type auxiliary layer (25) on its one side of its front face, closer to a P type primary layer (5). The layer (25) has an N type region (26) arranged to divide the layer (25) at its top, into two portions. One portion is linked to a gate terminal (G) and the other portion is linked through the region (26) to a cathode terminal (A2) at the front face, where the terminal (A2) is connected to the ground.

    CIRCUIT DE COMMANDE D'UN COMMUTATEUR ALTERNATIF.
    4.
    发明专利
    CIRCUIT DE COMMANDE D'UN COMMUTATEUR ALTERNATIF. 未知

    公开(公告)号：FR2918817A1

    公开(公告)日：2009-01-16

    申请号：FR0756445

    申请日：2007-07-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： HEURTIER JEROME ,  MENARD SAMUEL ,  FLORENCE ARNAUD

    IPC: H02M7/06 ,  H02M3/335 ,  H03K17/605 ,  H03K17/689

    Abstract: L'invention concerne un circuit de génération d'un signal continu de commande (VC) d'un commutateur alternatif (T) référencé à un premier potentiel (M2), à partir d'un signal (Vrf) haute fréquence référencé à un deuxième potentiel (M1), comportant : un premier élément capacitif (C1) reliant une première borne d'entrée (31), destinée à recevoir le signal haute fréquence, à la cathode d'un élément de redressement (D1) dont l'anode est reliée à une première borne de sortie (23) destinée à être reliée à une borne de commande du commutateur ; et un deuxième élément capacitif (C2) reliant une deuxième borne d'entrée (32), destinée à être connectée au deuxième potentiel de référence, à une deuxième borne de sortie (24) destinée à être connectée au premier potentiel de référence, un deuxième élément de redressement (D2) reliant la cathode du premier élément de redressement à la deuxième borne de sortie.

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005008176D1

    公开(公告)日：2008-08-28

    申请号：DE602005008176

    申请日：2005-12-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MENARD SAMUEL

    IPC: H01L29/747

    Abstract: The switch has P-type wells (4, 5) in which an N-type region (25) and a metal oxide semiconductor (MOS) transistor are formed, respectively on a front surface side. One of the wells and a gate of the transistor are connected to a control terminal. The N-type region is connected to a main terminal of the transistor. Another main terminal of the transistor is connected to a rear surface voltage of the switch.

    COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL A COMMANDE HF
    6.
    发明专利
    COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL A COMMANDE HF 未知

    公开(公告)号：FR2895600A1

    公开(公告)日：2007-06-29

    申请号：FR0554094

    申请日：2005-12-26

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MENARD SAMUEL

    IPC: H03K17/72 ,  H01L29/74

    Abstract: L'invention concerne un composant commutateur bidirectionnel à commande HF du type à gâchette référencée à la face arrière formée dans la face avant d'un caisson périphérique du composant, comprenant deux régions de gâchette indépendantes (G1, G2) destinées à être respectivement connectées à des bornes d'un transformateur à point milieu dont le point milieu est relié à la borne de face arrière du composant.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2849537B1

    公开(公告)日：2005-03-25

    申请号：FR0216807

    申请日：2002-12-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MENARD SAMUEL

    IPC: H01L29/747 ,  H03K17/725

    Abstract: A bidirectional switch for switching an A.C. voltage at a load, including a monolithic component, formed in an N-type substrate, including a first vertical thyristor; a second vertical thyristor; a P-type triggering region formed opposite to the cathode of the first thyristor and an N-type triggering region formed in the P-type triggering region, the P-type triggering region being intended to receive a control signal in a negative halfwave of the A.C. voltage to trigger the first thyristor; a resistive element connected to the P-type triggering region and to the anode of the first thyristor; and a capacitor having a terminal connected to the N-type triggering region and its other terminal intended to be connected to the reference voltage.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2849536B1

    公开(公告)日：2007-02-23

    申请号：FR0216808

    申请日：2002-12-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： HEURTIER JEROME ,  MENARD SAMUEL

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H03K19/0175

    Abstract: The circuit has a high voltage N channel MOS transistor (31), whose gate receives a control signal referred to a reference voltage (G) and source is connected to the voltage. A base of a high voltage PNP transistor (32) is connected to a drain of the MOS transistor and an emitter of the PNP transistor receives a supply voltage. A collector of the PNP transistor supplies a voltage to a control terminal of a high voltage switch.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2861228A1

    公开(公告)日：2005-04-22

    申请号：FR0350703

    申请日：2003-10-17

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MENARD SAMUEL ,  MAURIAC CHRISTOPHE

    IPC: H01L29/74 ,  H03K17/04 ,  H03K17/722

    Abstract: The switch has a control circuit (40) inserted in a power circuit and having two control regions forming diodes (D1, D2) with respective semiconductor layers. A contact is formed on each control region and layer. The contacts are connected to gate terminals (G1, G2) which apply alternative control voltage such that each diode is alternatively conducting, when a high frequency signal is applied to terminals of each diode.

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