公开(公告)号：FR2900277A1

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：FR0603453

申请日：2006-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  RUBALDO LAURENT ,  TALBOT ALEXANDRE

IPC: H01L21/306

Abstract: Des portions monocristallines (2) à base de silicium sont réalisées sur une surface (S) d'un substrat (100), sélectivement dans des zones (101) où un matériau monocristallin est initialement découvert. Pour cela, une couche (1) est d'abord formée sur toute la surface du substrat, en utilisant un précurseur de silicium du type hydrure non-chloré, et dans des conditions adaptées de sorte que la couche est monocristalline dans les zones du substrat où un matériau monocristallin est initialement découvert, et amorphe en dehors de ces zones. Les portions amorphes de la couche (1) sont ensuite sélectivement gravées, de sorte que seules les portions monocristallines (2) de la couche restent sur le substrat.

公开(公告)号：FR2900277B1

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：FR0603453

申请日：2006-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  RUBALDO LAURENT ,  TALBOT ALEXANDRE

IPC: H01L21/306

Abstract: The method involves heating a silicon on isolator-MOS (SOI-MOS) type substrate (100) and forming a silicon base layer (1) on a surface (S) of the substrate, in adapted conditions such that the layer is monocrystalline in reduced zones (101) of the substrate and amorphous in insulating parts (102) of the substrate, by placing a gas mixture having molecules of non-chlorinated silane and carrier gas in contact with the substrate. The formed layer is engraved such that an amorphous portion of the layer is removed, and a monocrystalline portion (2) of the layer remains intact.