公开(公告)号：FR2900275A1

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：FR0603454

申请日：2006-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  BROSSARD FLORENCE ,  VANDELLE BENOIT

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/04

Abstract: Une portion monocristalline (1) à base de silicium est réalisée sur un substrat (100), sélectivement dans une zone (101) où un matériau monocristallin est initialement découvert. La portion est réalisée en dehors de zones où la surface (S) du substrat est en matériau isolant (102). La portion monocristalline est formée à partir d'un mélange gazeux comprenant un précurseur de silicium du type hydrure non-chloré, du chlorure d'hydrogène et un gaz porteur. Le procédé permet de réduire une température de chauffage du substrat nécessaire pour former la portion monocristalline par croissance épitaxiale sélective.