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公开(公告)号：FR2969820B1
公开(公告)日：2013-09-20
申请号：FR1061139
申请日：2010-12-23
Inventor： AUMONT CHRISTOPHE , ODDOU JEAN-PIERRE , VAILLANT JEROME , GROS D AILLON PATRICK
IPC: H01L27/146
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Patent Agency Ranking2.发明专利
公开(公告)号：FR3011198A1
公开(公告)日：2015-04-03
申请号：FR1359540
申请日：2013-10-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： GROS D AILLON PATRICK , MARTY MICHEL
IPC: B32B33/00 , B32B7/00 , G02B5/28 , H01L31/0232
Abstract: Procédé de formation d'un empilement (EF) comportant au moins du cuivre au-dessus de nitrure de silicium hydrogéné, et dispositif comprenant l'empilement, le procédé comprenant : - une formation d'une couche de nitrure de silicium hydrogéné (NI) ayant au voisinage de sa face supérieure un rapport du nombre d'atomes de silicium par centimètre cube sur le nombre d'atomes d'azote par centimètre cube inférieur à 0,8, - une formation d'une couche d'oxyde de silicium (OX) sur la couche de nitrure de silicium hydrogéné, - une formation d'une couche de cuivre (CUSUP) sur la couche d'oxyde de silicium.
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公开(公告)号：FR2969820A1
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：FR1061139
申请日：2010-12-23
Inventor： AUMONT CHRISTOPHE , ODDOU JEAN-PIERRE , VAILLANT JEROME , GROS D AILLON PATRICK
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image éclairé par la face avant, comprenant des régions de photodétection (32), des éléments de transfert de charges (34) et un empilement d'interconnexion (L1, ..., L8) formés en surface d'un substrat semiconducteur (30), des microcavités étant formées dans l'empilement d'interconnexion en regard des régions de photodétection, les microcavités étant remplies de matériaux (48) formant filtres colorés comprenant des pigments métalliques, des régions (46) en un matériau formant barrière à la diffusion ionique s étendant sur les parois latérales des microcavités.
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公开(公告)号：FR3009433A1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：FR1357669
申请日：2013-08-01
IPC: H01L27/146 , H01L31/02
Abstract: Le circuit intégré comprend un capteur d'images à illumination face arrière (CPT), comportant un substrat (SB) possédant une zone incorporant au moins un pixel (PXi), une partie d'interconnexion (2) située au dessus d'une face avant (FAV) du substrat, au moins une couche d'antiréflexion (4) située au-dessus d'une face arrière (FAR) de ladite zone du substrat. La couche d'antiréflexion (4) est une couche comportant du nitrure de silicium, et le capteur comprend en outre une couche supplémentaire (7) située au dessus de la couche d'antiréflexion (4) et comportant au moins une partie inférieure (70) contenant du nitrure de silicium amorphe ou du nitrure de silicium amorphe hydrogéné, dont le rapport du nombre d'atomes de silicium par centimètre cube sur le nombre d'atomes d'azote par centimètre cube est supérieur à 0,7.
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公开(公告)号：FR2990294A1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：FR1254125
申请日：2012-05-04
Inventor： ODDOU JEAN-PIERRE , ROY FRANCOIS , GROS D AILLON PATRICK , AUMONT CHRISTOPHE , CARRERE JEAN-PIERRE
IPC: H01L21/30 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce de circuit intégré comportant des niveaux d'interconnexion (19) séparés par des couches isolantes contenant de l'hydrogène, comprenant les étapes consistant à a) revêtir le dernier niveau d'interconnexion d'au moins une couche isolante supérieure (23, 40) ; b) réaliser un niveau supérieur d'aluminium (45) au-dessus du dernier niveau d'interconnexion ; le procédé comprenant, entre les étapes a) et b), une étape de recuit en présence d'hydrogène.
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