公开(公告)号：FR2890982B1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：FR0509642

申请日：2005-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GROS MICHAEL ,  DELOFFRE EMILIE ,  WYON CHRISTOPHE

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: The formation of a layer of dielectric material on a carrier material (31) comprises: (A) circulating, in contact with the carrier material, a gas mixture (16) containing a precursor of a metal then an oxidizing gas (17) in conditions to form a first dielectric layer (32a); (B) circulating, in contact with the first dielectric layer, a gas mixture containing the precursor in second more intensely oxidizing conditions than that of the first operation. Independent claims are also included for: (1) a layer made up of at least one dielectric material obtained by this method; (2) an integrated circuit incorporating a condenser including this dielectric layer.

公开(公告)号：FR2890982A1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：FR0509642

申请日：2005-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GROS MICHAEL ,  DELOFFRE EMILIE ,  WYON CHRISTOPHE

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche 32 constituée d'au moins un matériau diélectrique sur un matériau porteur 31, dans lequel :- on fait circuler au contact dudit matériau porteur 31 un mélange gazeux 16 contenant au moins un précurseur comprenant un élément métallique et un gaz oxydant 17 dans de premières conditions oxydantes de façon à former une première couche 32a constituée d'au moins un matériau diélectrique, et- on fait circuler, au contact de ladite première couche 32a, un mélange gazeux 16 contenant ledit précurseur dans de deuxièmes conditions oxydantes, lesdites deuxièmes conditions oxydantes étant plus oxydantes que lesdites première conditions oxydantes.