公开(公告)号：FR2890982B1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：FR0509642

申请日：2005-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GROS MICHAEL ,  DELOFFRE EMILIE ,  WYON CHRISTOPHE

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: The formation of a layer of dielectric material on a carrier material (31) comprises: (A) circulating, in contact with the carrier material, a gas mixture (16) containing a precursor of a metal then an oxidizing gas (17) in conditions to form a first dielectric layer (32a); (B) circulating, in contact with the first dielectric layer, a gas mixture containing the precursor in second more intensely oxidizing conditions than that of the first operation. Independent claims are also included for: (1) a layer made up of at least one dielectric material obtained by this method; (2) an integrated circuit incorporating a condenser including this dielectric layer.

公开(公告)号：FR2890982A1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：FR0509642

申请日：2005-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GROS MICHAEL ,  DELOFFRE EMILIE ,  WYON CHRISTOPHE

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche 32 constituée d'au moins un matériau diélectrique sur un matériau porteur 31, dans lequel :- on fait circuler au contact dudit matériau porteur 31 un mélange gazeux 16 contenant au moins un précurseur comprenant un élément métallique et un gaz oxydant 17 dans de premières conditions oxydantes de façon à former une première couche 32a constituée d'au moins un matériau diélectrique, et- on fait circuler, au contact de ladite première couche 32a, un mélange gazeux 16 contenant ledit précurseur dans de deuxièmes conditions oxydantes, lesdites deuxièmes conditions oxydantes étant plus oxydantes que lesdites première conditions oxydantes.

公开(公告)号：FR3060121B1

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：FR1662258

申请日：2016-12-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  DEKIOUS ALI ,  DELOFFRE EMILIE ,  DESPAUX GILLES ,  LARREY VINCENT ,  LE CLEZIO EMMANUEL

IPC: G01N19/04 ,  G01N29/04

Abstract: L'invention concerne un procédé de contrôle d'un assemblage comprenant des premier (W1) et deuxième (W2) substrats accolés, ce procédé comportant les étapes suivantes : a) émettre un signal ultrasonore d'excitation en direction de l'assemblage au moyen d'un transducteur ultrasonore (301) placé du côté de la face avant (A1) du premier substrat (W1) ; b) mesurer, au moyen dudit transducteur (301), un signal ultrasonore retour comportant au moins un écho (EF1) du signal d'excitation sur la face arrière (B2) du deuxième substrat (W2) ; c) calculer, au moyen d'un circuit de traitement (303), un signal spectral représentatif de l'évolution en fréquence d'un coefficient de réflexion global de l'assemblage, défini comme étant le rapport du signal retour mesuré à l'étape b) sur le signal d'excitation ; et d) déduire dudit signal spectral une information quant à la qualité du collage entre les premier (W1) et deuxième (W2) substrats.

公开(公告)号：FR3060121A1

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：FR1662258

申请日：2016-12-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  DEKIOUS ALI ,  DELOFFRE EMILIE ,  DESPAUX GILLES ,  LARREY VINCENT ,  LE CLEZIO EMMANUEL

IPC: G01N19/04 ,  G01N29/04

Abstract: L'invention concerne un procédé de contrôle d'un assemblage comprenant des premier (W1) et deuxième (W2) substrats accolés, ce procédé comportant les étapes suivantes : a) émettre un signal ultrasonore d'excitation en direction de l'assemblage au moyen d'un transducteur ultrasonore (301) placé du côté de la face avant (A1) du premier substrat (W1) ; b) mesurer, au moyen dudit transducteur (301), un signal ultrasonore retour comportant au moins un écho (EF1) du signal d'excitation sur la face arrière (B2) du deuxième substrat (W2) ; c) calculer, au moyen d'un circuit de traitement (303), un signal spectral représentatif de l'évolution en fréquence d'un coefficient de réflexion global de l'assemblage, défini comme étant le rapport du signal retour mesuré à l'étape b) sur le signal d'excitation ; et d) déduire dudit signal spectral une information quant à la qualité du collage entre les premier (W1) et deuxième (W2) substrats.

公开(公告)号：FR2956244A1

公开(公告)日：2011-08-12

申请号：FR1050822

申请日：2010-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIORI VINCENT ,  HOTELLIER NICOLAS ,  PRUVOST JULIEN ,  DELOFFRE EMILIE

IPC: H01L21/78

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un substrat semiconducteur (30) en surface duquel sont formés des composants électroniques (32) répartis en puces, comprenant en outre au moins une plaquette (36) fixée au-dessus des composants électroniques avec interposition d'une couche intermédiaire (38), caractérisé en ce que, en regard de zones de découpe définies entre les puces, la couche intermédiaire comprend une alternance de premières régions (38A) et d'au moins de secondes régions (38B) en des matériaux présentant des valeurs distinctes d'une caractéristique mécanique.