公开(公告)号：FR3020499A1

公开(公告)日：2015-10-30

申请号：FR1453723

申请日：2014-04-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FIORI VINCENT ,  GALLOIS-GARREIGNOT SEBASTIEN ,  RIDEAU DENIS ,  TAVERNIER CLEMENT

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/04

Abstract: Le circuit intégré comprend au sein d'un substrat (SB) contenant du silicium et orienté selon la face cristallographique (100), au moins une région active (ZA) limitée par une région isolante (RIS) et au moins un transistor PMOS (TR) situé dans et sur ladite région active. Le canal (CNL) du transistor PMOS est orienté longitudinalement selon une direction cristallographique de type , et le circuit intégré comprend en outre au moins un motif de base (MTB) en forme de T, électriquement inactif, situé au dessus d'au moins une zone (Z) de la région isolante (RIS) située au voisinage d'au moins une extrémité transversale (ET1) du canal, la branche horizontale (BH) du T étant sensiblement parallèle à la direction longitudinale du canal (DRL).