公开(公告)号：FR3024917B1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：FR1457800

申请日：2014-08-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： LECOCQ CHRISTOPHE ,  AKYEL KAYA CAN ,  CHHABRA AMIT ,  DIPTI DIBYA

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/4074

公开(公告)号：FR3024917A1

公开(公告)日：2016-02-19

申请号：FR1457800

申请日：2014-08-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： LECOCQ CHRISTOPHE ,  AKYEL KAYA CAN ,  CHHABRA AMIT ,  DIPTI DIBYA

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/4074

Abstract: L'invention concerne un procédé de minimisation de la tension de fonctionnement (Vdd) d'un point mémoire de type SRAM constitué de transistors NMOS (3) et PMOS (1) de type FDSOI, un caisson (31) dopé s'étendant sous une couche isolante (27) de la structure FDSOI, en regard des transistors, une tension de polarisation étant appliquée au caisson, le procédé consistant à ajuster la tension de polarisation en fonction de l'état du point mémoire.