公开(公告)号：FR2894066A1

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：FR0512159

申请日：2005-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

Inventor： BAJOLET AURELIE ,  GIRAUDIN JEAN CHRISTOPHE ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/108

Abstract: Le procédé comprend une phase de réalisation de tranchées et une phase de formation des éléments (8, 9, 10) du condensateur (CD) dans la tranchée correspondante. La phase de réalisation des tranchées comprend une succession de cycles qui comprennent chacun une gravure plasma et une passivation par plasma. La phase de formation des éléments (8, 9, 10) du condensateur (CD) dans la tranchée comprend un dépôt conforme sur les parois de la tranchée, et de manière préférentielle se fait par dépôt par couches atomiques.