Phasenänderungs-Speichervorrichtung mit einer Schaltung zum Ansteuern einer Wortleitung mit hoher Geschwindigkeit

    公开(公告)号:DE102017113133A1

    公开(公告)日:2018-05-30

    申请号:DE102017113133

    申请日:2017-06-14

    Abstract: Eine Speichervorrichtung weist ein Feld (2) von Speicherzellen (3), die ein Phasenänderungsmaterial aufweisen, und wenigstens eine Wortleitung (WL) auf. Die Speichervorrichtung weist eine Treiberschaltung (34) auf, welche Folgendes aufweist: eine Steuerschaltung (42, 44, 46), einen ersten Pull-up-MOSFET (PM1) und einen zweiten Pull-up-MOSFET (PM2), die in Reihe zwischen einen ersten Stromversorgungsknoten, der auf eine erste Versorgungsspannung (VDD_LV) gelegt ist, und die Wortleitung geschaltet sind, einen ersten Pull-down-MOSFET (NM1) und einen zweiten Pull-down-MOSFET (NM2), die in Reihe zwischen die Wortleitung und einen zweiten Stromversorgungsknoten, der auf ein Referenzpotential gelegt ist, geschaltet sind, und einen Vorspannungs-MOSFET (PM3), der zwischen die Wortleitung und einen dritten Stromversorgungsknoten, der auf eine zweite Versorgungsspannung (VDD_HV) gelegt ist, die höher als die erste Versorgungsspannung ist, geschaltet ist. Der erste und der zweite Pull-up-MOSFET und der erste und der zweite Pull-down-MOSFET haben Durchbruchspannungen, die niedriger sind als die Durchbruchspannung des Vorspannungs-MOSFETs.

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