公开(公告)号：DE102015012766A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102015012766

申请日：2015-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GOLA LORENZO ,  PIROTTA SONIA ,  RONCI FEDERICA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Eine elektrische Kontaktstruktur (1) für eine elektronische Vorrichtung weist Folgendes auf: eine erste Strukturschicht (2); eine aus dielektrischem Material gebildete zweite Strukturschicht (6), die sich über der ersten Strukturschicht (2) erstreckt; eine aus leitfähigem Material gebildete zwischengeordnete Schicht (4), die sich zwischen der ersten Strukturschicht (2) und der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt; einen Graben (8), der sich in der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt und seitlich durch eine Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) begrenzt ist und am Boden durch einen Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) begrenzt ist; und eine Diffusionsbarriere (18), die sich in dem Graben (8) erstreckt und den Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) sowie die Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) überdeckt, wobei es sich bei der Diffusionsbarriere (18) um eine Dreifachschicht aus TiW-TiN-TiW handelt.

公开(公告)号：DE102015012766B4

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102015012766

申请日：2015-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GOLA LORENZO ,  PIROTTA SONIA ,  RONCI FEDERICA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Elektrische Kontaktstruktur (1) für eine elektronische Vorrichtung, wobei die elektrische Kontaktstruktur Folgendes aufweist:- eine erste Strukturschicht (2);- eine zweite Strukturschicht (6), die sich über der ersten Strukturschicht (2) erstreckt;- eine zwischengeordnete Schicht (4) aus leitfähigem Material, die sich zumindest teilweise zwischen der ersten Strukturschicht (2) und der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt; und- einen Graben (8), der sich in einem über der zwischengeordneten Schicht (4) liegenden Bereich der zweiten Strukturschicht (6) durch die gesamte Dicke der zweiten Strukturschicht (6) hindurch erstreckt, wobei der Graben seitlich durch eine Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) begrenzt ist und am Boden durch einen Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) begrenzt ist,wobei die elektrische Kontaktstruktur ferner eine Diffusionsbarriere (18) aufweist, die sich in den Graben (8) hinein erstreckt und den Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) sowie die Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) überdeckt, wobei es sich bei der Diffusionsbarriere (18) um eine Dreifachschicht aus TiW-TiN-TiW handelt,wobei die Diffusionsbarriere (18) aufweist:- eine erste Barrierenschicht (10) aus TiW, die sich in Berührung mit dem Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) sowie mit der Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt;- eine zweite Barrierenschicht (12) aus TiN, die sich über der ersten Barrierenschicht (10) erstreckt; und- eine dritte Barrierenschicht (14) aus TiW, die sich über der zweiten Barrierenschicht (12) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Barrierenschicht (10) eine Dicke von 100 bis 200 nm aufweist, die zweite Barrierenschicht (12) eine Dicke von 5 bis 15 nm aufweist und die dritte Barrierenschicht (14) eine Dicke von 100 bis 200 nm aufweist

公开(公告)号：ITTO20121080A1

公开(公告)日：2014-06-15

申请号：ITTO20121080

申请日：2012-12-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IULIANO PAOLO ,  MILANESI FRANCESCA ,  PALUMBO VINCENZO ,  PIROTTA SONIA