公开(公告)号：IT201900024532A1

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：IT201900024532

申请日：2019-12-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PALEARI ANDREA ,  MARIANI SIMONE DARIO ,  BALDI IRENE ,  BRAZZELLI DANIELA ,  MERLINI ALESSANDRA PIERA

IPC: H01L20060101

公开(公告)号：DE102016118655A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016118655

申请日：2016-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GUARINO LUCREZIA ,  MILANI ANTONELLA ,  PALEARI ANDREA ,  RONCHI FEDERICA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: In einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, die Metallisierungen (36, 38, 40) mit peripheren Abschnitten aufweisen, wobei mindestens eine unterliegende Schicht (20, 24) Randbereiche aufweist, die sich den peripheren Abschnitten zugewandt erstrecken, auf: – Bereitstellen einer Opferschicht (26) zum Bedecken der Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24), – Bereitstellen der Metallisierungen (36, 38, 40), während die Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24) von der Opferschicht (26) bedeckt sind, und – Entfernen der Opferschicht (26), so dass die Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24) sich den peripheren Abschnitten ohne eine Kontaktgrenzfläche dazwischen zugewandt erstrecken, wodurch thermomechanische Belastungen vermieden werden.

公开(公告)号：DE102015012766A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102015012766

申请日：2015-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GOLA LORENZO ,  PIROTTA SONIA ,  RONCI FEDERICA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Eine elektrische Kontaktstruktur (1) für eine elektronische Vorrichtung weist Folgendes auf: eine erste Strukturschicht (2); eine aus dielektrischem Material gebildete zweite Strukturschicht (6), die sich über der ersten Strukturschicht (2) erstreckt; eine aus leitfähigem Material gebildete zwischengeordnete Schicht (4), die sich zwischen der ersten Strukturschicht (2) und der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt; einen Graben (8), der sich in der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt und seitlich durch eine Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) begrenzt ist und am Boden durch einen Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) begrenzt ist; und eine Diffusionsbarriere (18), die sich in dem Graben (8) erstreckt und den Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) sowie die Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) überdeckt, wobei es sich bei der Diffusionsbarriere (18) um eine Dreifachschicht aus TiW-TiN-TiW handelt.

公开(公告)号：DE102016118653A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016118653

申请日：2016-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： COLPANI PAOLO ,  MILANI ANTONELLA ,  GUARINO LUCREZIA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/50

Abstract: In einer Ausführungsform weist eine Halbleitervorrichtung eine oder mehrere Metallisierungen (10), beispielsweise Cu-RDL-Metallisierungen, auf, die auf einer Passivierungsschicht (12) über einer dielektrischen Schicht (22) vorgesehen sind. Ein Durchgangsloch (16) durch die Passivierungsschicht (12) und die elektrische Schicht (22) ist in der Nachbarschaft der Ecken (10a, 10b) der Metallisierung vorgesehen. Dieses Durchgangsloch kann ein „Dummy”-Durchgangsloch ohne elektrische Verbindungen zu einer aktiven Vorrichtung sein und kann mit einem Abstand zwischen circa 1 Mikrometer (10–6 m.) und circa 10 Mikrometer (10–5 m.) von jeder der zusammenlaufenden Seiten (10b) vorgesehen sein und auf eine unterliegende Mittelschicht (24) auftreffen.

公开(公告)号：ITUB20160027A1

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：ITUB20160027

申请日：2016-02-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PALEARI ANDREA ,  MILANI ANTONELLA ,  GUARINO LUCREZIA ,  RONCHI FEDERICA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

公开(公告)号：IT1401729B1

公开(公告)日：2013-08-02

申请号：ITTO20100521

申请日：2010-06-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： BACH STEPHANE WEN YUNG ,  MARIANI SIMONE DARIO ,  PALEARI ANDREA ,  GATTARI PAOLO

公开(公告)号：DE102015012766B4

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102015012766

申请日：2015-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GOLA LORENZO ,  PIROTTA SONIA ,  RONCI FEDERICA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Elektrische Kontaktstruktur (1) für eine elektronische Vorrichtung, wobei die elektrische Kontaktstruktur Folgendes aufweist:- eine erste Strukturschicht (2);- eine zweite Strukturschicht (6), die sich über der ersten Strukturschicht (2) erstreckt;- eine zwischengeordnete Schicht (4) aus leitfähigem Material, die sich zumindest teilweise zwischen der ersten Strukturschicht (2) und der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt; und- einen Graben (8), der sich in einem über der zwischengeordneten Schicht (4) liegenden Bereich der zweiten Strukturschicht (6) durch die gesamte Dicke der zweiten Strukturschicht (6) hindurch erstreckt, wobei der Graben seitlich durch eine Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) begrenzt ist und am Boden durch einen Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) begrenzt ist,wobei die elektrische Kontaktstruktur ferner eine Diffusionsbarriere (18) aufweist, die sich in den Graben (8) hinein erstreckt und den Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) sowie die Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) überdeckt, wobei es sich bei der Diffusionsbarriere (18) um eine Dreifachschicht aus TiW-TiN-TiW handelt,wobei die Diffusionsbarriere (18) aufweist:- eine erste Barrierenschicht (10) aus TiW, die sich in Berührung mit dem Oberflächenbereich (4a) der zwischengeordneten Schicht (4) sowie mit der Wand (8a) der zweiten Strukturschicht (6) erstreckt;- eine zweite Barrierenschicht (12) aus TiN, die sich über der ersten Barrierenschicht (10) erstreckt; und- eine dritte Barrierenschicht (14) aus TiW, die sich über der zweiten Barrierenschicht (12) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Barrierenschicht (10) eine Dicke von 100 bis 200 nm aufweist, die zweite Barrierenschicht (12) eine Dicke von 5 bis 15 nm aufweist und die dritte Barrierenschicht (14) eine Dicke von 100 bis 200 nm aufweist

公开(公告)号：ITUB20160251A1

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：ITUB20160251

申请日：2016-02-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： COLPANI PAOLO ,  MILANI ANTONELLA ,  GUARINO LUCREZIA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L23/522

公开(公告)号：ITMI20121244A1

公开(公告)日：2014-01-18

申请号：ITMI20121244

申请日：2012-07-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CROCE GIUSEPPE ,  PALEARI ANDREA

公开(公告)号：ITTO20100521A1

公开(公告)日：2011-12-18

申请号：ITTO20100521

申请日：2010-06-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： BACH STEPHANE WEN YUNG ,  GATTARI PAOLO ,  MARIANI SIMONE DARIO ,  PALEARI ANDREA