Patent search ap:("ST MICROELECTRONICS SRL") AND inv:"ZANETTI EDOARDO" Page 1

1.

发明专利
DISPOSITIVO MOSFET IN CARBURO DI SILICIO E RELATIVO METODO DI FABBRICAZIONE 未知

公开(公告)号：IT201800007780A1

公开(公告)日：2020-02-02

申请号：IT201800007780

申请日：2018-08-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： SAGGIO MARIO GIUSEPPE , ZANETTI EDOARDO

IPC: H01L20060101

2.

发明专利
DISPOSITIVO MOSFET IN 4H-SIC E RELATIVO METODO DI FABBRICAZIONE 未知

公开(公告)号：IT201900021204A1

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：IT201900021204

申请日：2019-11-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： SAGGIO MARIO GIUSEPPE , ZANETTI EDOARDO , GUARNERA ALFIO

IPC: H01L20060101

3.

发明专利
PROCESSO DI FABBRICAZIONE DI UN DISPOSITIVO ELETTRONICO DI POTENZA INTEGRATO IN UN SUBSTRATO SEMICONDUTTORE AD AMPIO INTERVALLO DI BANDA PROIBITA E DISPOSITIVO ELETTRONICO COSI' OTTENUTO 未知

公开(公告)号：ITTO20081017A1

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：ITTO20081017

申请日：2008-12-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： FRISINA FERRUCCIO , SAGGIO MARIO GIUSEPPE , ZANETTI EDOARDO

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