公开(公告)号：IT201700019426A1

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：IT201700019426

申请日：2017-02-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  MILANO POLITECNICO

Inventor： ABBASI GAVARTI MOHAMMAD ,  CALTABIANO DANIELE ,  PICCO ANDREA ,  POMARICO ANNA ANGELA ,  ROSELLI GIUDITTA ,  BRAGHIN FRANCESCO

IPC: G01L1/18 ,  G01L1/26 ,  G01L9/06 ,  G01L19/14

公开(公告)号：DE102015116353A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102015116353

申请日：2015-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PICCO ANDREA

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: Der mikrointegrierte Sensor (50) weist einen Schichtstapel auf, der aus einer Sensorschicht (11) aus Halbleitermaterial, einer Deckschicht (20) aus Halbleitermaterial und einer Isolierschicht (4) gebildet ist. Die Sensorschicht (11) und die Deckschicht (20) haben jeweils einen Randbereich, der einen mittleren Bereich umgibt, und die Isolierschicht (4) erstreckt sich zwischen den Randbereichen der Sensorschicht und der Deckschicht. Ein Luftspalt (25) erstreckt sich zwischen den mittleren Bereichen der Sensorschicht (11) und der Deckschicht (20). Ein Durchgangsgraben (29) erstreckt sich in den mittleren Bereich der Sensorschicht (11) bis zu dem Luftspalt (25) und umgibt eine Plattform (30), die ein sensitives Element (5) aufnimmt. Die Deckschicht (20) hat Durchgangslöcher (23) in der Isolierschicht (4), die sich von dem Luftspalt (25) erstrecken und mit dem Luftspalt (25) und dem Durchgangsgraben (29) einen Fluidpfad bilden.

公开(公告)号：IT201700124348A1

公开(公告)日：2019-05-01

申请号：IT201700124348

申请日：2017-10-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PACI DARIO ,  FERRERA MARCO ,  PICCO ANDREA

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H03H3/007

公开(公告)号：DE102015116353B4

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：DE102015116353

申请日：2015-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PICCO ANDREA

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: Mikrointegrierter Sensor (50; 51), der einen Schichtstapel aufweist, der eine erste Hauptoberfläche (11A) und eine zweite Hauptoberfläche (20A) hat und aus einer Sensorschicht (11), die der ersten Hauptoberfläche (11A) zugewandt ist, einer Deckschicht (20), die der zweiten Hauptoberfläche (20A) zugewandt ist, und einer Isolierschicht (4) gebildet ist, wobei die Sensorschicht und die Deckschicht jeweils einen Randbereich haben, der einen mittleren Bereich umgibt, und die Isolierschicht (4) sich zwischen den Randbereichen der Sensorschicht und der Deckschicht erstreckt, wobei sich ein Luftspalt (25) zwischen den mittleren Bereichen der Sensorschicht (11) und der Deckschicht (20) erstreckt, sich ein Durchgangsgraben (29) in den mittleren Bereich der Sensorschicht (11) zwischen der ersten Oberfläche (11A) und dem Luftspalt (25) erstreckt und eine Plattform (30) umgibt, die ein sensitives Element (5) aufnimmt, und die Deckschicht (20) Durchgangslöcher (23) hat, die sich zwischen dem Luftspalt (25) und der zweiten Hauptoberfläche (20A) erstrecken und zusammen mit dem Luftspalt (25) und dem Durchgangsgraben (29) einen Fluidpfad zu dem sensitiven Element (5) bilden, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensorschicht (11) eine vergrabene Ausnehmung (7) und eine Membran (8) hat, die zwischen der vergrabenen Ausnehmung und der ersten Hauptoberfläche (11A) angeordnet ist, wobei die Membran das sensitive Element (5) aufnimmt.

公开(公告)号：ITTO20121067A1

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：ITTO20121067

申请日：2012-12-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： FARALLI DINO ,  PACI DARIO ,  PICCO ANDREA