公开(公告)号：FR2968835A1

公开(公告)日：2012-06-15

申请号：FR1060326

申请日：2010-12-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  ALI DALAF

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/66

Abstract: L'invention concerne un triac vertical quatre quadrants dans lequel la région de gâchette, disposée du côté d'une face avant, comprend une région d'un premier type de conductivité (27) en forme de U, la base du U étant adossée à un côté de la structure, la région principale du deuxième type de conductivité de face avant (25) s étendant en face de la région de gâchette et étant encadrée de parties (21, 22) de la région principale du premier type de conductivité de face avant.