公开(公告)号：FR3039014B1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：FR1556647

申请日：2015-07-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04 ,  H01L29/74 ,  H04M3/18

Abstract: L'invention concerne une structure de protection d'interface SLIC de ligne téléphonique (3, 5) contre des surtensions inférieures à un seuil négatif ou supérieures à un seuil positif, comprenant au moins un thyristor (32, 34) connecté entre chaque conducteur de la ligne téléphonique et un potentiel de référence (GND), dans laquelle pour tous les thyristors une métallisation correspondant à l'électrode principale côté gâchette est en contact, par l'intégralité de sa surface, avec une région semiconductrice correspondante ; et la gâchette (36, 38) est connectée directement à une source de tension (58) définissant l'un desdits seuils.

公开(公告)号：FR2961033A1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR1054504

申请日：2010-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： APPERE CEDRIC ,  BREMOND ANDRE ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04

Abstract: L'invention concerne une structure de protection (41) d'un circuit connecté à des premier (3) et second (5) rails d'une liaison téléphonique contre des surtensions, comprenant : des première (57) et deuxième (55) diodes en anti-série entre les premier et second rails ; un premier condensateur (65) en parallèle avec une première résistance (63) entre un premier noeud (N) commun aux première et deuxième diodes et un point de potentiel bas de référence ; et un élément de protection (31) adapté à évacuer des surtensions rapides entre l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas de référence lorsque ces surtensions dépassent un premier seuil lié au potentiel du premier noeud (N).

公开(公告)号：FR3023060A1

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：FR1455999

申请日：2014-06-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  MOINDRON LAURENT ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H01L29/87 ,  H02H9/04

Abstract: L'invention concerne un composant (10) comportant une diode de Shockley verticale (D1) comprenant du haut vers le bas une première région (15) d'un premier type de conductivité, un substrat (13a) d'un second type de conductivité, une deuxième région (17) du premier type de conductivité dans laquelle est formée une troisième région (19) du second type de conductivité, ce composant comportant en outre un premier transistor vertical (T2'), ce transistor comprenant du haut vers le bas une portion (13b) dudit substrat séparée de la diode de Shockley (D1) par un mur vertical (22), une portion de la deuxième région (17), une quatrième région (24) de même nature que la troisième région (19), formée dans ladite portion de la deuxième région (17), la troisième région (19) étant connectée à la quatrième région (24).

公开(公告)号：FR2961033B1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1054504

申请日：2010-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： APPERE CEDRIC ,  BREMOND ANDRE ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04