公开(公告)号：FR3122769A1

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：FR2104856

申请日：2021-05-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  JOUVE DAVID ,  LANOIS FREDERIC

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: Dispositif de suppression de tensions transitoires unidirectionnel sans conduction en direct La présente description concerne un dispositif de suppression de tensions transitoires (10) comprenant un substrat semiconducteur monocristallin dopé d'un premier type de conductivité comprenant des première et deuxième faces opposées (14, 16), une région semiconductrice (18) dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité s'étendant dans le substrat depuis la première face, une première électrode conductrice électriquement (20) sur la première face en contact avec la première région et une deuxième électrode conductrice électriquement (22) sur la deuxième face en contact avec le substrat, une première interface entre le substrat et la région semiconductrice formant la jonction d'une diode TVS et une deuxième interface entre la première électrode conductrice électriquement et la première région ou entre le substrat et la deuxième électrode conductrice électriquement formant la jonction d'une diode Schottky. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3039014B1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：FR1556647

申请日：2015-07-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04 ,  H01L29/74 ,  H04M3/18

Abstract: L'invention concerne une structure de protection d'interface SLIC de ligne téléphonique (3, 5) contre des surtensions inférieures à un seuil négatif ou supérieures à un seuil positif, comprenant au moins un thyristor (32, 34) connecté entre chaque conducteur de la ligne téléphonique et un potentiel de référence (GND), dans laquelle pour tous les thyristors une métallisation correspondant à l'électrode principale côté gâchette est en contact, par l'intégralité de sa surface, avec une région semiconductrice correspondante ; et la gâchette (36, 38) est connectée directement à une source de tension (58) définissant l'un desdits seuils.

公开(公告)号：FR3093598A1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：FR1902245

申请日：2019-03-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  NGO SOPHIE ,  RASCUNA' SIMONE

IPC: H02H9/04 ,  H01L29/12

Abstract: Dispositif de protection contre les surtensions La présente description concerne un circuit (110) comprenant une première diode (130) en un matériau semiconducteur présentant une largeur de bande interdite supérieure à celle du silicium, de sorte à assurer une protection contre des surtensions. Figure pour l'abrégé : Fig. 1