公开(公告)号：FR2968833A1

公开(公告)日：2012-06-15

申请号：FR1060375

申请日：2010-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FERON MARC ,  JARRY VINCENT

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: L'invention concerne un procédé d'amincissement et de découpe d'une plaquette (1) de circuits électroniques (7), dans lequel : une étape d'amincissement est effectuée alors que la plaquette est portée par un premier film (4) collé en périphérie d'un cadre support (3) ; et une étape de découpe est effectuée alors que la plaquette amincie (1') est portée par un second film (6) collé en périphérie du même cadre (3) depuis l'autre face de la plaquette, le premier film n'étant décollé qu'une fois le second en place.

公开(公告)号：FR2953064B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：FR0958225

申请日：2009-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FERON MARC ,  JARRY VINCENT ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

公开(公告)号：FR2953063A1

公开(公告)日：2011-05-27

申请号：FR0958223

申请日：2009-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT ,  FERON MARC ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: L'invention concerne un procédé d'encapsulation de composants électroniques, comprenant les étapes suivantes : former, dans une première face d'une tranche semiconductrice, des composants électroniques (12, 14) et des tranchées remplies de conducteur (16) ; former un empilement d'interconnexion (18) ; former des premiers plots d'accrochage (24) et reporter au moins une puce (28) sur lesdits premiers plots d'accrochage ; déposer une couche de résine épaisse (30) ; amincir la tranche jusqu'à laisser apparaître le fond des tranchées (16) ; former des seconds plots d'accrochage (36) sur la face inférieure de la tranche, en regard des tranchées, et former des billes de soudure (38) sur les seconds plots ; former une seconde couche de résine (40), la seconde couche de résine ne recouvrant pas les billes ; amincir la première couche de résine (30) ; coller une première bande adhésive (4 6) sur la première couche de résine ; et découper la structure en puces.

公开(公告)号：FR2968833B1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：FR1060375

申请日：2010-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FERON MARC ,  JARRY VINCENT

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

公开(公告)号：FR2987173A1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：FR1251467

申请日：2012-02-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT

IPC: H01M10/04

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'une microbatterie (400) comportant, sur une face d'un premier substrat (101), un élément actif de batterie et deux plages de contact, ce procédé comprenant les étapes suivantes : a) former, sur une face d'un second substrat (307), deux plages de contact (305a, 305b) à un espacement compatible avec l'espacement des plages du premier substrat (101) ; et b) rapporter le premier substrat (101) sur le second substrat (307) de façon que lesdites faces soient en regard et que les plages du premier substrat (101) se superposent au moins partiellement à celles (305a, 305b) du second substrat (307), une partie des plages (305a, 305b) du second substrat (307) n'étant pas recouverte par le premier substrat (101).

公开(公告)号：FR2960094B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR1053742

申请日：2010-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT

IPC: H01L21/50

公开(公告)号：FR2961014A1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR1054472

申请日：2010-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT ,  HOUGRON PATRICK ,  TOUZET DOMINIQUE ,  MENDEZ JOSE

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de puces semiconductrices (58) à partir d'une tranche semiconductrice, comprenant les étapes suivantes : a) fixer, sur un premier cadre support (34), un second cadre support (44) de dimensions extérieures inférieures aux dimensions extérieures du premier cadre et supérieures aux dimensions intérieures du premier cadre ; disposer la tranche sur une face d'un film (59) tendu sur le second cadre (44) ; effectuer des opérations de traitement de la tranche en utilisant des équipements adaptés à recevoir le premier cadre (34) ; désolidariser le second cadre du premier cadre et retirer le premier cadre ; et effectuer des opérations de traitement de la tranche en utilisant des équipements adaptés à recevoir le second cadre (44).

公开(公告)号：FR2986175A1

公开(公告)日：2013-08-02

申请号：FR1250890

申请日：2012-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT ,  PRUNET PHILIPPE ,  FEUILLETTE THIERRY

IPC: B26D1/04 ,  H01L21/00

Abstract: L'invention concerne un dispositif de découpe d'une plaquette (1), munie de rainures (3) sur sa face supérieure et posée par sa face inférieure sur un film souple (5) solidaire d'un cadre (6). Ce dispositif comprend un système (11) de repérage des rainures et de positionnement du cadre par rapport à un système de découpe (8), et un moyen de réglage (30) pour positionner la plaquette en regard du système de repérage de sorte que la zone repérée soit à une distance déterminée du système de repérage.

公开(公告)号：FR2953063B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR0958223

申请日：2009-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT ,  FERON MARC ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

公开(公告)号：FR2960094A1

公开(公告)日：2011-11-18

申请号：FR1053742

申请日：2010-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： JARRY VINCENT

IPC: H01L21/50

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de puces semiconductrices (37) à partir d'une tranche semiconductrice, comprenant les étapes suivantes : a) disposer la tranche sur une face d'un film (32) tendu sur un premier cadre (34) de dimensions nettement supérieures aux dimensions de la tranche de façon qu'en vue de dessus, une portion de film en anneau sépare ce contour extérieur du contour intérieur du cadre ; b) effectuer des opérations de fabrication en utilisant des équipements adaptés à recevoir le premier cadre ; c) disposer, sur la portion de film en anneau, un second cadre (39) de dimensions extérieures inférieures aux dimensions intérieures du premier cadre ; d) découper le film entre le contour extérieur du second cadre et le contour intérieur du premier cadre et retirer le premier cadre ; et e) effectuer des opérations de fabrication en utilisant des équipements adaptés à recevoir le second cadre.