公开(公告)号：FR3050320B1

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：FR1653369

申请日：2016-04-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC ,  ANKOUDINOV ALEXEI ,  RODOV VLADIMIR

IPC: H01L29/74

Abstract: L'invention concerne une diode comprenant entre des électrodes supérieure (A) et inférieure (K) : des première (3) et deuxième (54) portions de substrat semiconducteur dopé de type N connectées à l'électrode inférieure ; un premier transistor vertical (T1) et un deuxième transistor (T2) formés dans la première portion et connectés en série entre les électrodes, la grille (14) du premier transistor étant dopée de type N et couplée à l'électrode supérieure, le deuxième transistor étant à canal P et ayant une grille (24) dopée du type P ; des première (80) et deuxième (82) zones dopées du deuxième type de conductivité situées dans la deuxième portion et séparées par une partie de substrat surmontée d'une autre grille (84) dopée du type N, la première zone dopée étant couplée à la grille du deuxième transistor, la deuxième zone dopée et ladite autre grille étant couplées à l'électrode supérieure.

公开(公告)号：FR3122769A1

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：FR2104856

申请日：2021-05-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  JOUVE DAVID ,  LANOIS FREDERIC

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: Dispositif de suppression de tensions transitoires unidirectionnel sans conduction en direct La présente description concerne un dispositif de suppression de tensions transitoires (10) comprenant un substrat semiconducteur monocristallin dopé d'un premier type de conductivité comprenant des première et deuxième faces opposées (14, 16), une région semiconductrice (18) dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité s'étendant dans le substrat depuis la première face, une première électrode conductrice électriquement (20) sur la première face en contact avec la première région et une deuxième électrode conductrice électriquement (22) sur la deuxième face en contact avec le substrat, une première interface entre le substrat et la région semiconductrice formant la jonction d'une diode TVS et une deuxième interface entre la première électrode conductrice électriquement et la première région ou entre le substrat et la deuxième électrode conductrice électriquement formant la jonction d'une diode Schottky. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3086798A1

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：FR1858933

申请日：2018-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/77

Abstract: Structure comprenant, dans une tranchée (22) d'un substrat (20), une première région conductrice (302) séparée du substrat d'une première distance (d) inférieure à environ 10 nm ; et une deuxième région conductrice (306) s'étendant plus profondément que la première région.

公开(公告)号：FR3086798B1

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：FR1858933

申请日：2018-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/77

公开(公告)号：FR3012699A1

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：FR1360660

申请日：2013-10-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： RIVET BERTRAND ,  JEAN CHARLES GRECA ,  LANOIS FREDERIC

IPC: H02M7/12 ,  H01L25/11 ,  H01L29/861

Abstract: L'invention concerne un circuit comportant : un premier transistor à effet de champ monté en première diode (D32) et pourvu d'électrodes de drain, de source, de grille, ainsi que d'une électrode supplémentaire ; un deuxième transistor à effet de champ monté en deuxième diode (D34) et pourvu d'électrodes de drain, de source, de grille, ainsi que d'une électrode supplémentaire ; un premier interrupteur (54) reliant la grille du premier transistor à son drain ; un deuxième interrupteur (56) reliant la grille du deuxième transistor à son drain ; et un circuit (52) de commande des premier et deuxième interrupteurs.

公开(公告)号：FR3050321B1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：FR1653371

申请日：2016-04-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC ,  ANKOUDINOV ALEXEI ,  RODOV VLADIMIR

IPC: H01L29/74

Abstract: L'invention concerne une diode comprenant : une portion de substrat semiconducteur (152) dopé de type N entre des électrodes supérieure (A) et inférieure (K) ; un premier transistor vertical (T11) à canal N, dont la grille (160) est dopée de type N et couplée à l'électrode supérieure, le premier transistor ayant une zone de source (158) incluse dans un caisson (156) dopé de type P, le premier transistor ayant une région de canal (172) située dans ledit caisson ; un deuxième transistor (T12) à canal P ayant une grille (166) dopée de type P et une région de canal (174) située hors dudit caisson, les premier et deuxième transistors étant connectés en série entre les électrodes ; et une zone de sonde (37) dopée de type P, recouverte par la grille du premier transistor, la zone de sonde étant couplée à la grille du deuxième transistor.

公开(公告)号：FR2975531A1

公开(公告)日：2012-11-23

申请号：FR1154215

申请日：2011-05-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC

IPC: H01L29/872 ,  H02M7/06

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky contrôlée de type vertical comprenant : un substrat semiconducteur (3) fortement dopé d'un premier type de conductivité ; une couche mince (1) faiblement dopée du premier type de conductivité ; des rainures remplies d'un conducteur (7) entouré d'un isolant (9) s'étendant dans la couche mince selon une première direction ; des bandes parallèles (11) du deuxième type de conductivité s'étendant dans la couche mince selon une deuxième direction orthogonale à la première direction ; une première électrode (A-5 ) sur la face supérieure de la diode formant un contact Schottky avec ladite couche mince ; une deuxième électrode (K) sur la face inférieure de la diode ; et une électrode de commande solidaire dudit matériau conducteur (7).