公开(公告)号：FR3118529A1

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：FR2014147

申请日：2020-12-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD ,  JAOUEN LIONEL

IPC: H01L29/861

Abstract: Diodes fines La présente description concerne un dispositif comprenant une diode (10) dans laquelle la cathode de la diode comprend des première (30), deuxième (32) et troisième (34) zones, la première zone (30) recouvrant partiellement la deuxième zone (32) et ayant un niveau de dopage supérieur au niveau de dopage de la deuxième zone (32), la deuxième zone (32) recouvrant partiellement la troisième zone (34) et ayant un niveau de dopage supérieur au niveau de dopage de la troisième zone (34), une première couche isolante (24) chevauchant partiellement les première et deuxième zones. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3086797A1

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：FR1858874

申请日：2018-09-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/872

Abstract: La présente description concerne un Dispositif électronique (100) comprenant un empilement d'une diode Schottky (123) et d'une diode bipolaire (108), connectées en parallèle par une première électrode (126) située dans une première cavité (116) et une deuxième électrode (128) située dans une deuxième cavité (118).

公开(公告)号：FR3086797B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1858874

申请日：2018-09-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/872

Abstract: La présente description concerne un Dispositif électronique (100) comprenant un empilement d'une diode Schottky (123) et d'une diode bipolaire (108), connectées en parallèle par une première électrode (126) située dans une première cavité (116) et une deuxième électrode (128) située dans une deuxième cavité (118).

公开(公告)号：FR3097682A1

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：FR1906589

申请日：2019-06-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS GMBH ,  ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  YVON ARNAUD ,  SAADNA MOHAMED ,  SCARPA VLADIMIR

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318

Abstract: Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium La présente description concerne un composant (200) monolithique comportant un transistor de puissance à effet de champ (T1) et au moins une première diode Schottky (SC1) dans et sur un même substrat au nitrure de gallium (301). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3017242A1

公开(公告)日：2015-08-07

申请号：FR1450886

申请日：2014-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： YVON ARNAUD ,  ALQUIER DANIEL ,  CORDIER YVON

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky (400) comportant : un substrat (401) conducteur ou semiconducteur recouvert d'un empilement comportant, dans l'ordre à partir d'une première face du substrat, une couche tampon (403), une première couche de GaN dopée de type N (405), et une deuxième couche de GaN dopée de type N (407) de niveau de dopage inférieur à celui de la première couche ; un contact Schottky (409) sur une première face opposée au substrat de la deuxième couche de GaN (407) ; et une première métallisation (411) connectant au substrat (401) une première face opposée au substrat de la première couche de GaN (405), ladite métallisation (411) étant située dans une ouverture (410) située dans une zone de l'empilement non revêtue par le contact Schottky (409), cette ouverture (410) s'étendant depuis la première face de la deuxième couche (407) jusqu'au substrat (401).

公开(公告)号：FR3011385A1

公开(公告)日：2015-04-03

申请号：FR1359348

申请日：2013-09-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky comprenant, sur une couche (23) de GaN fortement dopé d'un premier type de conductivité, un plateau épitaxié (25) à flancs inclinés (27) en GaN faiblement dopé du premier type de conductivité, les flancs inclinés étant revêtus d'une région latérale (29) de GaN d'un second type de conductivité, une couche d'un métal de contact Schottky (33) revêtant le plateau (25) et la région latérale (29).

公开(公告)号：FR2979034A1

公开(公告)日：2013-02-15

申请号：FR1157330

申请日：2011-08-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L33/22 ,  C23C14/48 ,  C23C16/18 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329

Abstract: L'invention concerne une diode électroluminescente comprenant, au-dessus d'une portion plus épaisse (43) d'une couche comprenant un matériau fortement dopé de type N (41) choisi dans le groupe comprenant le nitrure de gallium, l'arséniure de gallium, le carbure de silicium, le phosphure d'indium et l'oxyde de zinc : une couche comprenant un matériau dopé de type N (45) dudit groupe, recouverte d'un empilement (47) constitué d'une alternance de couches très minces de nitrure de gallium (49) et de couches très minces de nitrure de gallium et d'indium (51), ledit empilement étant recouvert d'une couche de nitrure de gallium de type P (53) ; et des cavités localisées dans la couche de nitrure de gallium de type P (53) et à la frontière (52) entre la couche de nitrure de gallium de type P (53) et l'empilement (47) de couches très minces.

公开(公告)号：FR2963985A1

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：FR1056654

申请日：2010-08-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  SOITEC SILICON ON INSULATOR ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： ALQUIER DANIEL ,  YVON ARNAUD ,  CORDIER YVON ,  FRAYSSINET ERIC ,  KENNARD MARK ALLEN

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: L'invention concerne une diode Schottky verticale comprenant successivement, sur un substrat conducteur (20), une couche (14) de GaN fortement dopée de type N ; une couche (13) de GaN faiblement dopée de type N ; un contact Schottky (22) sur la couche de GaN faiblement dopée de type N.

公开(公告)号：FR3040539B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：FR1558035

申请日：2015-08-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L29/872

公开(公告)号：FR3010228A1

公开(公告)日：2015-03-06

申请号：FR1358324

申请日：2013-08-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD

IPC: H01L21/71 ,  H01L23/12 ,  H01L29/872

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat (101) de nitrure de gallium dopé d'un premier type de conductivité, présentant des dislocations (105) débouchant du côté d'au moins une de ses faces, comprenant : a) former des évidements (107) s'étendant dans le substrat (101) depuis ladite au moins une face, en regard des dislocations (105) ; et b) remplir les évidements (107) de nitrure de gallium dopé du second type de conductivité.