公开(公告)号：FR3118529A1

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：FR2014147

申请日：2020-12-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： YVON ARNAUD ,  JAOUEN LIONEL

IPC: H01L29/861

Abstract: Diodes fines La présente description concerne un dispositif comprenant une diode (10) dans laquelle la cathode de la diode comprend des première (30), deuxième (32) et troisième (34) zones, la première zone (30) recouvrant partiellement la deuxième zone (32) et ayant un niveau de dopage supérieur au niveau de dopage de la deuxième zone (32), la deuxième zone (32) recouvrant partiellement la troisième zone (34) et ayant un niveau de dopage supérieur au niveau de dopage de la troisième zone (34), une première couche isolante (24) chevauchant partiellement les première et deuxième zones. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3091021B1

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：FR1873566

申请日：2018-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  JAOUEN LIONEL

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: Thyristor vertical La présente description concerne un thyristor (200) comprenant un empilement vertical de première (101), deuxième (103), troisième (105) et quatrième (107) régions semiconductrices de types de conductivité alternés, dans lequel la quatrième région (107) est interrompue dans une zone de gâchette (115) du thyristor, et dans un couloir continu (201) s'étendant depuis ladite zone de gâchette en direction d'un bord latéral de la quatrième région. Figure pour l'abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3091021A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873566

申请日：2018-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  JAOUEN LIONEL

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: Thyristor vertical La présente description concerne un thyristor (200) comprenant un empilement vertical de première (101), deuxième (103), troisième (105) et quatrième (107) régions semiconductrices de types de conductivité alternés, dans lequel la quatrième région (107) est interrompue dans une zone de gâchette (115) du thyristor, et dans un couloir continu (201) s'étendant depuis ladite zone de gâchette en direction d'un bord latéral de la quatrième région. Figure pour l'abrégé : Fig. 4