公开(公告)号：ES2375324T3

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：ES08849334

申请日：2008-11-13

Applicant: STICHTING ENERGIE

Inventor： MIHAILETCHI VALENTIN DAN ,  KOMATSU YUJI

IPC: H01L31/18

Abstract: Método de fabricación de una célula solar de silicio cristalino, comprendiendo en secuencia: - provisión de sustrato de silicio cristalino con un primer lado y un segundo lado opuesto a dicho primer lado, - predifusión de fósforo en dicho primer lado de dicho sustrato que da una película comprendiendo SiO2 y P2 O5 y un estrato de fósforo difundido con una profundidad inicial, - eliminación de dicha película de SiO2 : P2O5 de todos los lados de dicho sustrato, - bloqueo de dicho primer lado de dicho sustrato, - exposición de dicho segundo lado de dicho sustrato a una fuente de difusión de boro, - calentamiento de dicho sustrato durante cierto periodo de tiempo y a una cierta temperatura para difundir el boro en dicho segundo lado de dicho sustrato y para difundir simultáneamente dicho fósforo además en dicho sustrato.

公开(公告)号：AT529897T

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：AT08849334

申请日：2008-11-13

Applicant: STICHTING ENERGIE

Inventor： MIHAILETCHI VALENTIN DAN ,  KOMATSU YUJI

IPC: H01L31/18

Abstract: A method of manufacturing a crystalline silicon solar cell, subsequently including: providing a crystalline silicon substrate having a first side and a second side opposite the first side; pre-diffusing Phosphorus into a first side of the substrate to render a Phosphorus diffused layer having an initial depth; blocking the first side of the substrate; exposing a second side of the substrate to a Boron diffusion source; heating the substrate for a certain period of time and to a certain temperature so as to diffuse Boron into the second side of the substrate and to simultaneously diffuse the Phosphorus further into the substrate.

公开(公告)号：NL2000999C2

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：NL2000999

申请日：2007-11-13

Applicant: STICHTING ENERGIE

Inventor： MIHAILETCHI VALENTIN DAN ,  KOMATSU YUJI

IPC: H01L31/18