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    Método de fabricación de células solares de silicio multicristalino tipo n
    3.
    发明专利
    Método de fabricación de células solares de silicio multicristalino tipo n 未知

    公开(公告)号：ES2378082T3

    公开(公告)日：2012-04-04

    申请号：ES06799532

    申请日：2006-10-04

    Applicant: STICHTING ENERGIE

    Inventor： KOMATSU YUJI ,  GOLDBACH HANNO ,  SCHROPP RUDOLF ,  GEERLIGS LAMBERT

    IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

    Abstract: Método de fabricación de una célula solar a partir de un sustrato de silicio multicristalino tipo n, comprendiendo en secuencia: - proporcionar el sustrato de silicio multicristalino tipo n con un lado anterior y un lado posterior, siendo el lado anterior el lado de luz incidente; - difundir fósforo en ambos lados de dicho sustrato para constituir una capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior y una capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior;- depositar una película dieléctrica que comprende hidrógeno sobre dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior - eliminar dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior;- texturizar dicho lado anterior de dicho sustrato, después de la eliminación de dicha capa de difusión de fósforo, y a continuación- depositar una película delgada de silicio tipo p en dicho lado anterior para formar una heterojuntura, donde después del paso de depositar dicha película dieléctrica, y antes de la formación de la heterojuntura, el método comprende el recocido para emitir el hidrógeno en la película dieléctrica y penetrar el hidrógeno en el sustrato, donde el paso de recocido se realiza a una temperatura que es más de 50º C superior a una temperatura en el paso de deposición de película dieléctrica.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT529897T

    公开(公告)日：2011-11-15

    申请号：AT08849334

    申请日：2008-11-13

    Applicant: STICHTING ENERGIE

    Inventor： MIHAILETCHI VALENTIN DAN ,  KOMATSU YUJI

    IPC: H01L31/18

    Abstract: A method of manufacturing a crystalline silicon solar cell, subsequently including: providing a crystalline silicon substrate having a first side and a second side opposite the first side; pre-diffusing Phosphorus into a first side of the substrate to render a Phosphorus diffused layer having an initial depth; blocking the first side of the substrate; exposing a second side of the substrate to a Boron diffusion source; heating the substrate for a certain period of time and to a certain temperature so as to diffuse Boron into the second side of the substrate and to simultaneously diffuse the Phosphorus further into the substrate.

    PHOTOVOLTAIC CELL WITH WRAP THROUGH CONNECTIONS.
    10.
    发明专利
    PHOTOVOLTAIC CELL WITH WRAP THROUGH CONNECTIONS. 未知

    公开(公告)号：NL1038916C

    公开(公告)日：2013-01-07

    申请号：NL1038916

    申请日：2011-07-01

    Applicant: STICHTING ENERGIE

    Inventor： WU YU ,  GEERLIGS LAMBERT JOHAN ,  ROOSMALEN JOHANNES ADRIANUS MARIA ,  KOMATSU YUJI ,  GUILLEVIN NICOLAS

    IPC: H01L31/0224

    CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

    Abstract: Known photovoltaic cells with wrap through connections have output terminals of both polarities on its back surface, one of which is coupled to the front surface via the wrap through connections. The invented solar cell is manufactured by creating an emitter layer on the back surface. Electrode material is applied in mutually separate first and second areas on the back surface. The electrode material in the first area contacts the emitter. The second area covers a surrounding of a hole that provides for the connection on the back surface. The electrode material in the second area lies on the emitter and around the second area the emitter is interrupted by a trench. On the front surface a further area of electrode material is applied over the hole. If necessary the electrode material in the second area on the back surface is applied on a supporting surface that is substantially electrically isolated from current flowing laterally through the emitter layer underneath the first area.

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