公开(公告)号：ES2378082T3

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：ES06799532

申请日：2006-10-04

Applicant: STICHTING ENERGIE

Inventor： KOMATSU YUJI ,  GOLDBACH HANNO ,  SCHROPP RUDOLF ,  GEERLIGS LAMBERT

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: Método de fabricación de una célula solar a partir de un sustrato de silicio multicristalino tipo n, comprendiendo en secuencia: - proporcionar el sustrato de silicio multicristalino tipo n con un lado anterior y un lado posterior, siendo el lado anterior el lado de luz incidente; - difundir fósforo en ambos lados de dicho sustrato para constituir una capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior y una capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior;- depositar una película dieléctrica que comprende hidrógeno sobre dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior - eliminar dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior;- texturizar dicho lado anterior de dicho sustrato, después de la eliminación de dicha capa de difusión de fósforo, y a continuación- depositar una película delgada de silicio tipo p en dicho lado anterior para formar una heterojuntura, donde después del paso de depositar dicha película dieléctrica, y antes de la formación de la heterojuntura, el método comprende el recocido para emitir el hidrógeno en la película dieléctrica y penetrar el hidrógeno en el sustrato, donde el paso de recocido se realiza a una temperatura que es más de 50º C superior a una temperatura en el paso de deposición de película dieléctrica.

公开(公告)号：AT537562T

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：AT06799532

申请日：2006-10-04

Applicant: STICHTING ENERGIE

Inventor： KOMATSU YUJI ,  GOLDBACH HANNO ,  SCHROPP RUDOLF ,  GEERLIGS LAMBERT

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: The invention provides solar cells and methods of manufacturing solar cells having a Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer (HIT) structure using an n-type multicrystalline silicon substrate. An n-type multicrystalline silicon substrate is subjected to a phosphorus diffusion step using a relatively high temperature. The front side diffusion layer is then removed. As a next step, a p-type silicon thin film is deposited at the front side of the substrate. This sequence avoids heating the p-type silicon thin film above its deposition temperature, and maintains the quality of the p-type silicon thin film.